【技术实现步骤摘要】
一种治具
本申请总体来说涉及一种晶圆载具,具体而言,涉及一种治具。
技术介绍
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。其中,在众多工序中,在同一地方进行多次光刻、PECVD、腐蚀的工艺尤为复杂,以往单次涂胶腐蚀,再生长膜系的工艺已不能满足生产要求。套刻工艺提上日程,即在一种膜系基础上完成,光刻、腐蚀、掺杂工艺后,需把本次膜系完全腐蚀去掉,只留下衬底,无任何图形存在。在这种情况为了满足下次光刻能与本次图形重合,需保留四处边角的图形,使图形在特殊胶层的保护下不被腐蚀掉,以留作下次光刻的依据。但是四处标胶图形的好坏,是否一致对称,直接影响下次光刻的质量,目前的晶圆载具在各工序中不能保证加工方位始终保持一致。有鉴于此,亟需对现有的晶圆载具的结构进行改进,以保证光刻位置在各工序中精准对应,提高光刻质量。
技术实现思路
本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的晶圆载具在加工各工序中不能精准对 ...
【技术保护点】
1.一种治具,其特征在于,包括工作台(10),所述工作台(10)设有:/n至少一个第一凹槽(11),所述第一凹槽(11)的侧壁与晶圆抵接;以及,/n至少一个用于标胶的第二凹槽(12),所述第二凹槽(12)设于所述第一凹槽(11)的外周,且所述第二凹槽(12)与所述第一凹槽(11)相通。/n
【技术特征摘要】
1.一种治具,其特征在于,包括工作台(10),所述工作台(10)设有:
至少一个第一凹槽(11),所述第一凹槽(11)的侧壁与晶圆抵接;以及,
至少一个用于标胶的第二凹槽(12),所述第二凹槽(12)设于所述第一凹槽(11)的外周,且所述第二凹槽(12)与所述第一凹槽(11)相通。
2.根据权利要求1所述的治具,其特征在于,所述第一凹槽(11)的深度小于所述第二凹槽(12)的深度。
3.根据权利要求1所述的治具,其特征在于,所述工作台(10)包括支撑座(20),所述工作台(10)可拆卸地设于所述支撑座(20)。
4.根据权利要求3所述的治具,其特征在于,所述支撑座(20)设有至少一个装配孔(21),所述工作台(10)朝向所述支撑座(20)的一侧设有至少一个装配体(13),所述装配体(13)插入所述装配孔(21)。
5.根据权利要求3所述的治具,其特征在于,所述支撑座(20)设有定位块,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘强,杨彦伟,
申请(专利权)人:深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。