一种基于Ge制造技术

本发明专利技术涉及一种基于Ge

【技术实现步骤摘要】
一种基于Ge2Sb2Te5光刻胶的全干法光刻与刻蚀方法及应用
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种基于Ge2Sb2Te5光刻胶的全干法光刻与刻蚀方法及应用。
技术介绍
半导体制造技术的发展推动着电子产品不断更新换代，而半导体制造的核心是图形化制备技术，即光刻与刻蚀技术。目前，光刻与刻蚀工艺复杂，包括光刻胶旋涂、烘干、曝光、显影、坚模、刻蚀、去胶等。其中，涂胶、显影及去胶工艺均涉及酸碱溶液腐蚀，环境污染大，对健康不友好。同时，由于工艺步骤繁多，需要多种设备(如旋涂仪、烘干仪、显影设备等)协同完成整个工艺流程，导致制造成本高昂。另外，随着技术的不断演进，对在全真空环境下进行器件制造的需求愈发强烈，因为全真空环境可有效避免器件被大气污染(或氧化)，能够显著提高器件制造良率。这就导致传统的光刻与刻蚀技术显露出无法避免的缺陷。专利技术人在前期研究中，提出一种基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，但是该方法未解决金属掺杂Sb2Te光刻胶的图形结构干法转移及残余光刻胶的干法去除问题。上述问题是本领域亟需解决的技术难题。因此，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Ge

【技术特征摘要】
1.一种基于Ge2Sb2Te5光刻胶的全干法光刻与刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在基片上沉积一层Ge2Sb2Te5光刻胶；
S2：利用激光直写光刻系统对所述Ge2Sb2Te5光刻胶进行曝光；
S3：利用反应离子刻蚀系统对曝光后的所述Ge2Sb2Te5光刻胶进行干法显影，在所述Ge2Sb2Te5光刻胶的曝光区域形成图形窗口；
S4：干法显影后，利用反应离子刻蚀系统对所述基片上与所述图形窗口对应的区域进行干法刻蚀，在所述基片上形成图形结构；
S5：利用反应离子刻蚀系统除去残留的所述Ge2Sb2Te5光刻胶，最终得到表面具有所述图形结构的基片。


2.根据权利要求1所述全干法光刻及刻蚀方法，其特征在于，所述Ge2Sb2Te5光刻胶中掺杂有Ag、Al、N、Cr、Al、Cu、Fe、Ni、C、Mg、O、Ti中任意一种或几种元素。


3.根据权利要求2所述全干法光刻及刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S1中，沉积所述Ge2Sb2Te5光刻胶的方法为磁控溅射法，其中Ge2Sb2Te5的溅射功率为10～1000W，掺杂元素的溅射功率为1～100W，气体流量为1～100sccm，工作气压为0.1～3Pa，样品盘转速为1～50R/min，溅射时间为1～60min。


4.根据权利要求1所述全干法光刻及刻蚀方法，其特征在于，所述基片的材料为硅、锗、二氧化硅、氧化锌、氮化硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、砷化镓、铝砷化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏涛，魏劲松，刘波，胡敬，程淼，刘倩倩，李宛飞，凌云，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32