用于样本方案生成与优化的方法技术

一种用于样本方案(624)生成的方法，具有以下步骤：获取(606)与位置的集合相关联的测量数据(608)；分析(610)测量数据以确定位置的统计上不同的组；以及基于统计上不同的组来配置(614)样本方案生成算法(622)。一种方法，包括：获取与跨一个或多个基底的样本方案相关联的约束(618)和/或多个关键性能指标(620)；以及在包括多目标遗传算法(622)的样本方案生成算法中使用约束(618)和/或多个关键性能指标(620)。位置可定义跨越跨一个或多个基底的多个场的一个或多个区域，并且分析(610)测量数据的步骤可以包括使用不同的相应子采样来跨所跨越的多个场进行堆叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于样本方案生成与优化的方法相关申请的交叉引用本申请要求2018年12月19日提交的EP申请18214088.9和2019年1月15日提交的EP申请19151797.8以及2019年12月11日提交的EP申请19215179.3的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。
本专利技术涉及样本方案生成和优化，以及相关的计算机程序、光刻和检查装置。
技术介绍
光刻装置是将所需图案施加到基底上的机器，通常施加到基底的目标部分上。光刻装置可用于例如集成电路(IC)的制造。在该实例中，可替换地称为光罩(mask)或掩模(reticle)的图案化设备可用于生成要在IC的单个层上形成的电路图案。可以将该图案转移到基底(例如硅晶圆)上的目标部分(例如，包括其部分、一个、或多个管芯)上。图案的转移通常经由成像到设置在基底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个基底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在所谓的步进器中每个目标部分通过一次将整个图案曝光到目标部分上而被照射，在所谓的扫描器中每个目标部分通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n获取与位置的集合相关联的测量数据；/n分析所述测量数据，以确定所述位置的在统计学上不同的组；以及/n基于所述在统计学上不同的组配置样本方案生成算法。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181219 EP 18214088.9;20190115 EP 19151797.8;20191.一种方法，包括：
获取与位置的集合相关联的测量数据；
分析所述测量数据，以确定所述位置的在统计学上不同的组；以及
基于所述在统计学上不同的组配置样本方案生成算法。


2.根据权利要求1所述的方法，其中组中的所述位置一起定义场内的一个或多个区域，所述场跨一个或多个基底重复。


3.根据权利要求1所述的方法，其中：
组中的所述位置一起定义一个或多个区域，所述一个或多个区域跨越多个场，所述多个场跨一个或多个基底，所述多个场在由所述样本方案生成算法生成的采样方案中具有不同的相应子采样；以及
分析所述测量数据的步骤包括：使用所跨越的多个场的不同的相应子采样，跨所跨越的多个场堆叠所述测量数据，以确定所述位置的所述在统计学上不同的组。


4.根据权利要求1所述的方法，其中所述样本方案生成算法包括遗传算法。


5.根据权利要求4所述的方法，其中配置算子的步骤包括配置交叉算子以在所确定的在统计学上不同的组之间交换采样信息。


6.根据权利要求4所述的方法，其中配置算子的步骤包括配置变异算子以变异所选择的确定的在统计学上不同的组中的采样信息。


7.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·弗里斯克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL