发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法技术

一种发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法，该制造方法包含提供基板，将基板的上表面分配为多个区域，其各设有发光二极管群组包含多个发光二极管，多个发光二极管群组包含第一发光二极管群组，多个发光二极管包含坏点发光二极管；形成测试电路于基板上，将多个发光二极管并联或串并联；用测试电路对第一发光二极管群组光电测试；记录坏点发光二极管的位置；提供终端载板或模块载板；及通过坏点发光二极管的位置，实施任一步骤：将坏点发光二极管自基板移除，再转移其他发光二极管至终端载板或模块载板；不转移坏点发光二极管，转移其他发光二极管至终端载板或模块载板；或转移发光二极管至终端载板或模块载板且修补坏点发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法
本专利技术涉及一种发光二极管测试电路、发光二极管测试方法及制造方法。
技术介绍
在现有的发光二极管测量方法中，例如使用电激发光(electroluminescence,EL)测量发光二极管特性时，将探针作用于发光二极管的电极以提供测试电流，得到发光二极管的光电特性。具体而言，两探针的尖端分别接触发光二极管的p、n电极。然而，在小尺寸的发光二极管中，其电极的尺寸以及电极的间距也随之缩小，使用现有的探针及测量方式来对发光二极管进行测量显得困难。
技术实现思路
本专利技术公开一种发光二极管制造方法，包含：提供一基板，将基板的一上表面分配为多个区域，多个区域各设置有一发光二极管群组，其包含多个发光二极管，其中多个发光二极管群组包含一第一发光二极管群组，且第一发光二极管群组中的多个发光二极管包含一或多个坏点发光二极管；形成一测试电路于基板上，将第一发光二极管群组中的多个发光二极管形成并联或串并联；利用测试电路对第一发光二极管群组进行光电性测试；记录一或多个坏点发光二极管的一位置；提供一终端载板或一模块载板；以及通过一或多个坏点发光二极管的位置，实施下列任一步骤：将一或多个坏点发光二极管自基板移除，再转移第一发光二极管群组中的其他多个发光二极管至终端载板或模块载板；不转移一或多个坏点发光二极管，转移第一发光二极管群组中的其他多个发光二极管至终端载板或模块载板；或转移多个发光二极管至终端载板或模块载板，在终端载板或模块载板上修补一或多个坏点发光二极管。本专利技术公开一种一种发光二极管制造方法，包含：提供一基板，将基板的一第一上表面分配为多个区域，多个区域各设置有一发光二极管群组，其包含多个发光二极管，其中多个发光二极管群组包含一第一发光二极管群组；提供一暂时载板，包含一第二上表面；形成一测试电路于第二上表面；将第一发光二极管群组从基板转移至第二上表面，使第一发光二极管群组中的多个发光二极管接合于测试电路并形成并联或串并联；以及利用测试电路对第一发光二极管群组进行光电性测试。附图说明图1为本专利技术一实施例的发光二极管制造方法的示意图；图2为本专利技术一实施例发光二极管制造方法中一步骤的截面图；图3为本专利技术一实施例发光二极管制造方法中一步骤的上视图；图4A为本专利技术一实施例中单一区域内的点测电路图；图4B为本专利技术另一实施例中单一区域内的点测电路图；图4C为本专利技术另一实施例中单一区域内的点测电路图；图4D为本专利技术另一实施例中单一区域内的点测电路图；图5为本专利技术一实施例中发光二极管群组点亮的近场影像图；图6为本专利技术一实施例发光二极管制造方法中一步骤的截面图；图7为本专利技术一实施例的子晶片上视图。符号说明1发光二极管10基板10a上表面100晶片100’子晶片101暂时载板12半导体叠层121第一半导体层122第二半导体层123活性层16接合胶材18透明导电层20第一电极30第二电极32导电接着层40a、40b导线401a、401b、401a’、401b’分支导线60a、60-1a、60-2a、60-3a第一点测垫60b、60-1b、60-2b、60-3b第二点测垫50绝缘层501、502开孔ISO走道区Z1、Z2、Z3、Z4区域G1发光二极管群组具体实施方式下文中，将参照图示详细地描述本专利技术的示例性实施例，已使得本专利
技术人员能够充分地理解本专利技术的精神。本专利技术并不限于以下的实施例，而是可以以其他形式实施。在本说明书中，有一些相同的符号，其表示具有相同或是类似的结构、功能、原理的元件，且为业界具有一般知识能力者可以依据本说明书的教导而推知。为说明书的简洁度考虑，相同的符号的元件将不再重述。图1显示本专利技术一实施例的发光二极管制造方法，图2显示步骤S1及步骤S2完成后，在基板10上形成多个发光二极管1，构成一发光二极管晶片(wafer)100的截面图。参考图1及图2，首先，在步骤S1中实施外延制作工艺，在一基板10的上表面10a上形成一半导体叠层12。其中半导体叠层12包含一第一半导体层121、一活性层123和一第二半导体层122。接着，在步骤S2中实施一管芯制作工艺。依序在半导体叠层12上形成一透明导电层18，将半导体叠层12以走道区ISO在基板10上定义出多个发光二极管1，并形成一绝缘层50、一第一电极20及一第二电极30。在一实施例中，多个发光二极管1以矩阵方式排列在基板10上。多个发光二极管1之间以走道区ISO相互隔离。绝缘层50覆盖走道区ISO、各半导体叠层12及透明导电层18，具有一开孔501暴露第一半导体层，以及另一开孔502暴露透明导电层18。第一电极20形成于绝缘层50上，经由开孔501与第一半导体层121电连接。第二电极30形成于绝缘层50上，经由开孔502与第二半导体层122电连接。基板10基板10可以是一成长基板，包括用于生长磷化镓铟(AlGaInP)的砷化镓(GaAs)基板、及磷化镓(GaP)基板，或用于生长氮化铟镓(InGaN)或氮化铝镓(AlGaN)的蓝宝石(Al2O3)基板，氮化镓(GaN)基板，碳化硅(SiC)基板、及氮化铝(AlN)基板。基板10包含上表面10a。在一实施例中，上表面10a为一平面。在另一实施中，基板10可以是一图案化基板，即，基板10在其上表面10a上具有图案化结构(图未示)，图案化结构包含多个突起或是多个凹穴。在一实施例中，从半导体叠层12发射的光可以被基板10的图案化结构所折射，从而提高发光元件的亮度。此外，图案化结构减缓或抑制了基板10与半导体叠层12之间因晶格不匹配而导致的错位，从而改善半导体叠层12的外延品质。半导体叠层12在本专利技术的一实施例中，在基板10上形成半导体叠层12的方法包含有机金属化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或离子镀，例如溅镀或蒸镀等。依序在基板10上形成一缓冲结构(图未示)、第一半导体层121、活性层123和第二半导体层122。缓冲结构、第一半导体层121、活性层123和第二半导体层122构成半导体叠层12。缓冲结构可减小上述的晶格不匹配并抑制错位，从而改善外延品质。缓冲层的材料包括GaN、AlGaN或AlN。在一实施例中，缓冲结构包括多个子层(图未示)。子层包括相同材料或不同材料。在一实施例中，缓冲结构包括两个子层，其中第一子层的生长方式为溅镀或MOCVD，第二子层的生长方式为MOCVD。在一实施例中，缓冲层另包含第三子层。其中第三子层的生长方式为MOCVD，第二子层的生长温度高于或低于第三子层的生长温度。在一实施例中，第一、第二及第三子层包括相同的材料，例如AlN。在本专利技术的一实施例中，第一半导体层121和第二半导体层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管制造方法，包含：/n提供基板，将该基板的上表面分配为多个区域，该多个区域各设置有发光二极管群组，其包含多个发光二极管，其中该多个发光二极管群组包含第一发光二极管群组，且该第一发光二极管群组中的该多个发光二极管包含或多个坏点发光二极管；/n形成测试电路于该基板上，将该第一发光二极管群组中的该多个发光二极管形成并联或串并联；/n利用该测试电路对该第一发光二极管群组进行光电性测试；/n记录该一或多个坏点发光二极管的位置；/n提供终端载板或模块载板；以及/n通过该一或多个坏点发光二极管的该位置，实施下列任一步骤：/n将该一或多个坏点发光二极管自该基板移除，再转移该第一发光二极管群组中的其他该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板；/n不转移该一或多个坏点发光二极管，转移该第一发光二极管群组中的其他该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板；或/n转移该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板，在该终端载板或该模块载板上修补该一或多个坏点发光二极管。/n

【技术特征摘要】
20200211 US 62/975,1651.一种发光二极管制造方法，包含：
提供基板，将该基板的上表面分配为多个区域，该多个区域各设置有发光二极管群组，其包含多个发光二极管，其中该多个发光二极管群组包含第一发光二极管群组，且该第一发光二极管群组中的该多个发光二极管包含或多个坏点发光二极管；
形成测试电路于该基板上，将该第一发光二极管群组中的该多个发光二极管形成并联或串并联；
利用该测试电路对该第一发光二极管群组进行光电性测试；
记录该一或多个坏点发光二极管的位置；
提供终端载板或模块载板；以及
通过该一或多个坏点发光二极管的该位置，实施下列任一步骤：
将该一或多个坏点发光二极管自该基板移除，再转移该第一发光二极管群组中的其他该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板；
不转移该一或多个坏点发光二极管，转移该第一发光二极管群组中的其他该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板；或
转移该多个发光二极管至该终端载板或该模块载板，在该终端载板或该模块载板上修补该一或多个坏点发光二极管。


2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其中该一或多个坏点发光二极管包含损坏、失效、或光电特性不符合规格的发光二极管。


3.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其中利用该测试电路对该第一发光二极管群组进行光电性测试的步骤包含：以影像方式呈现该第一发光二极管群组的光电特性，并依该影像的深浅判断该第一发光二极管群组中包含该一或多个坏点发光二极管。


4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佳珍，涂嘉良，李奇霖，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71