一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法技术

本发明专利技术提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。

【技术实现步骤摘要】
一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法
本专利技术涉及硅片处理
，具体涉及一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法。
技术介绍
随着半导体芯片竞争日益激烈，客户对于衬底抛光片的质量要求越来越高，其中客户对于粗糙度要求更是要求越来越严格，衬底抛光片粗糙度过高会影响IC厂WER异常、电性击穿特性等，然而影响粗糙度主要工艺的腐蚀工艺各衬底厂商确不尽相同，如何找到腐蚀最优工艺进而改善粗糙度是摆在衬底厂商面前的一大难题！在硅片腐蚀工艺的研发设计过程中，如何实现对当前硅片的腐蚀工艺进行反推，一直是无法克服的瓶颈之一。目前缺乏一种对硅片获知腐蚀工艺的方法。
技术实现思路
本专利技术提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，已解决以上至少一个技术问题。为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下：本专利技术提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。进一步优选地，所述碱腐蚀量增加1微米，晶胞的大小增加1-1.3微米。进一步优选地，步骤二中，酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量的确定方法为选取实验片，对实验片采用碱液进行碱腐蚀，在采用酸液进行酸腐蚀，显微镜测量晶胞大小，晶胞大小的测量点至少选取五处，将碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；选取另一实验片，重复上述操作，变化对实验片的碱腐蚀厚度以及酸腐蚀厚度，将碱液腐蚀量、酸液腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；数据库内建立有关于碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小的模型数据，当需要对某一个硅片的碱腐蚀量以及酸腐蚀量进行确定时，测量晶胞大小，将测量的晶胞大小与数据库内的晶胞大小进行比对，选取最接近的晶胞大小，最接近的晶胞大小对应的碱腐蚀量以及酸腐蚀量即为当前硅片的碱液蚀量以及酸腐蚀量。进一步优选地，所述酸液是质量百分比浓度为34±1％硝酸溶液、质量百分比浓度为22±1％醋酸溶液、质量百分比浓度为10±1％的氢氟酸溶液和纯水的混合液，混酸液温度控制在30±0.5℃。所述碱液为氢氧化钠溶液，所述碱液的浓度为45～49％，碱液温度控制在80±0.5℃。进一步优选地，晶胞大小为0.97-1.56μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；晶胞大小为1.68-2.74μm时，碱腐蚀量为1μm，酸腐蚀量为29μm；晶胞大小为2.86-3.92μm时，碱腐蚀量为2μm，酸腐蚀量为28μm；晶胞大小为4.04-5.1μm时，碱腐蚀量为3μm，酸腐蚀量为27μm；晶胞大小为5.22-6.28μm时，碱腐蚀量为4μm，酸腐蚀量为26μm；晶胞大小为6.4-7.46μm时，碱腐蚀量为5μm，酸腐蚀量为25μm；晶胞大小为7.58-8.63μm时，碱腐蚀量为6μm，酸腐蚀量为24μm；晶胞大小为8.75-9.81μm时，碱腐蚀量为7μm，酸腐蚀量为23μm；晶胞大小为9.94-10.99μm时，碱腐蚀量为8μm，酸腐蚀量为22μm；晶胞大小为11.11-12.17μm，碱腐蚀量为9μm，酸腐蚀量为21μm；晶胞大小为12.29-13.35μm，碱腐蚀量为10μm，酸腐蚀量为20μm；晶胞大小为13.47-14.53μm，碱腐蚀量为11μm，酸腐蚀量为19μm；晶胞大小为14.65-15.71μm，碱腐蚀量为12μm，酸腐蚀量为18μm；晶胞大小为15.83-16.89μm，碱腐蚀量为13μm，酸腐蚀量为17μm；晶胞大小为17-18.06μm，碱腐蚀量为14μm，酸腐蚀量为16μm；晶胞大小为18.19-18.66μm，碱腐蚀量为15μm，酸腐蚀量为15μm。进一步优选地，晶胞大小为1.11μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；晶胞大小为4.23μm时，碱腐蚀量为3μm，酸腐蚀量为27μm；晶胞大小为7.97μm时，碱腐蚀量为6μm，酸腐蚀量为24μm；晶胞大小为11.92μm，碱腐蚀量为9μm，酸腐蚀量为21μm；晶胞大小为15.17μm，碱腐蚀量为12μm，酸腐蚀量为18μm；晶胞大小为18.48μm，碱腐蚀量为15μm，酸腐蚀量为15μm。进一步优选地，X＝30.83-0.8484*a，X四舍五入取整后为Y，Z＝30-Y；其中，Y为酸腐蚀去除量，单位为μm；a为晶胞大小，单位为μm；Z为碱腐蚀去除量，单位为μm。进一步优选地，显微镜放大倍数为500。经过试验，显微镜放大500倍，测量效果最佳。附图说明图1为本专利技术的流程图；图2为本专利技术表一1组别#2的显微镜图；图3为本专利技术表一1组别#3的显微镜图；图4为本专利技术表一1组别#4的显微镜图；图5为本专利技术表一1组别#5的显微镜图；图6为本专利技术表一1组别#6的显微镜图。具体实施方式下面结合本专利技术的附图和实施例对本专利技术的实施作详细说明，以下实施例是在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。参见图1至图6，一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。本专利给予了一种腐蚀工艺通过晶胞大小的目检来进行验证的方法，提高了生产过程中腐蚀工艺的后道检查的精度以及快速性。所述碱腐蚀量增加1微米，晶胞的大小增加1-1.3微米。步骤二中，酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量的确定方法为选取实验片，对实验片采用碱液进行碱腐蚀，再采用酸液进行酸腐蚀，显微镜测量晶胞大小，晶胞大小的测量点至少选取五处，将碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；选取另一实验片，重复上述操作，变化对实验片的碱腐蚀厚度以及酸腐蚀厚度，将碱液腐蚀量、酸液腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；数据库内建立有关于碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小的模型数据，当需要对某本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，/n步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；/n晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。/n

【技术特征摘要】
1.一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，
步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；
晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。


2.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述碱腐蚀量增加1微米，晶胞的大小增加1-1.3微米。


3.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：步骤二中，酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量的确定方法为选取实验片，对实验片采用碱液进行碱腐蚀，在采用酸液进行酸腐蚀，显微镜测量晶胞大小，晶胞大小的测量点至少选取五处，将碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；选取另一实验片，重复上述操作，变化对实验片的碱腐蚀厚度以及酸腐蚀厚度，将碱液腐蚀量、酸液腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；
数据库内建立有关于碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小的模型数据，当需要对某一个硅片的碱腐蚀量以及酸腐蚀量进行确定时，测量晶胞大小，将测量的晶胞大小与数据库内的晶胞大小进行比对，选取最接近的晶胞大小，最接近的晶胞大小对应的碱腐蚀量以及酸腐蚀量即为当前硅片的碱液蚀量以及酸腐蚀量。


4.根据权利要求3所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述酸液是质量百分比浓度为34±1％硝酸溶液、质量百分比浓度为22±1％醋酸溶液、质量百分比浓度为10±1％的氢氟酸溶液和纯水的混合液，混酸液温度控制在30±0.5℃。


5.根据权利要求3所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述碱液为氢氧化钠溶液，所述碱液的浓度为45～49％，碱液温度控制在80±0.5℃。


6.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：晶胞大小为0.97-1.63μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；
晶胞大小为1.64-2.76μm时，碱腐蚀量为1μm，酸腐蚀量为29μm；
晶胞大小为2.81-3.98μm时，碱腐蚀量为2μm，酸腐蚀量为28μm；
晶胞大小为3.99-5.1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢运增，贺贤汉，洪漪，胡久林，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31