具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器制造技术

一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括： （ａ）一个非结晶型磁致伸缩元件； （ｂ）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件， 其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于１００Ｈｚ／Ｏｅ。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器所属
本专利技术涉及使用在电子货品监视(EAS)系统中的磁力式标识器。
技术介绍
众所周知，配置电子货品监视用系统是为了防止或称阻止商品在零售店中被偷窃。在典型的这类系统中，标识器是通过与配置在货品出口处的电磁场之间的相互作用来保护商品的。如果有标识器被带入磁场或“问询区域”中，便可以检测到这一标识器并发出报警信号。这类标识器中的一些可以在付款并通过销售柜台后而由商品上除去。另一些标识器将继续附着在商品上，但使用退磁化装置对标识器实施退磁化，从而改变该标识器的磁性特性，使其在问询区域中不能够再被检测出来。一种目前已知类型的EAS系统使用着包括有一个“可激活型”磁致伸缩元件，以及一个用于提供偏置磁场的、由磁铁构成的偏磁或称“控制”元件的标识器。这类标识器中的一个实例已经示出在图1中，并且由参考标号10表示。这种标识器10包括有一个可激活型元件12、一个刚性壳体14和一个偏磁元件16。可以将制作这种标识器10的各部件适当组装起来，从而使这种磁致伸缩带形物12嵌装在壳体14上的凹槽18中，并且将偏磁元件16保持在壳体14内以形成该凹槽18用的盖覆物。凹槽18与磁致伸缩带形物12的大小相当，从而使得在曝露于稳定变化着的磁场中时由这种带形物12产生的机械共振，不会受到壳体14的机械阻碍或称妨碍。而且偏磁元件16应配置在壳体14之内，以便不会对可激活型元件12实施“夹持”。正如授予Anderson等人的美国专利4510489中所公开的那样，可激活型元件12应该按如下所述的方式构成，即当可激活型元件曝露在偏置磁场中时，这种可激活型元件12的以固有共振频率振动，该固有共振频率即该-->可激活型元件12曝露在按共振频率变化的交变电磁场中时的机械共振频率。偏磁元件16在磁化至饱和时，可提供出按可激活型元件所需要的共振频率变化着的偏置磁场。在一般情况下，偏磁元件16由具有“半硬化”磁化性能的材料构成。在这儿，术语“半硬化”的定义为，该元件的矫顽磁力为大约10-500奥斯特(Oe)，而在将元件磁化至基本上饱和的DC磁化磁场移开之后，剩磁大约为6千高斯(kG)或更大。在根据授予Anderson等人的美国专利中给出的技术教导而构造出的一种最佳EAS系统中，所产生的这种交变电磁场被用作为货品出口处的脉冲式问询信号。在由每一串问询信号实施激活后，可激活型元件12将在每一个脉冲串结束后产生阻尼式机械振荡。由可激活型元件发出的结果信号可通过检测电路实施检测，这种检测电路与问询电路相同步，并且在脉冲串之后的平静周期中被激活。利用脉冲式问询信号检测磁力式标识器用的这种EAS系统已经由本申请的受让人商品化，并且以商标品牌“ULTRA*MAX”出售，而且已经被广泛使用着。这种磁力式标识器的退活化是通过对偏磁元件实施退磁，从而使磁致伸缩元件的共振频率基本上偏离问询信号频率的方式实施的。在偏磁元件被退磁之后，可激活型元件将不再响应问询信号，从而不再产生出其幅度大小足以用检测电路检测出的信号。在常规的磁力式EAS标识器中，偏磁元件是由诸如“SemiVac90”等等的半硬化磁性材料构成的，这类材料可以由德国Hanau的Vacuumschmelze处购得。SemiVac90的矫顽磁力大约为70至80Oe。目前一般认为，偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe，以防止在标识器的储存、运输或装卸时所可能会出现的磁场作用下而使偏置磁铁意外地退磁化(进而使标识器退活化)。SemiVac90材料需要位于450Oe或更高的DC磁场中以达到99％的磁化饱和，并且需要接近200Oe的AC退磁化磁场实施95％的退磁化。由于需要使用比较高的AC退活化磁场，所以产生AC退活化磁场的常规装置(诸如由本申请受让人销售的、商品品牌为“Rapid Pad2”和“SDeed Station”的装置等等)必须按脉冲方式运行，以减少能量损耗，并满足管理规章的限制。然而由于AC磁场仅仅是以脉冲形式产生的，所-->以就必须确保标识器在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。目前已知的确保在产生有脉冲时标识器在退活化装置附近的技术包括，响应装置操作者的人工输入而产生出脉冲的技术，以及将标识器检测电路设置在退磁化装置中的技术等等。前一种技术是将这一负担加在操作该退活化装置的操作者的身上，而且这两种技术均对部件有一定的限制，这会增大退活化装置的成本。而且，以脉冲形式产生退活化磁场时还会使发出磁场用的线圈变热，所以还需要使装置中的电子部件有较高的质量，进而使成本进一步增大。将足够强的退活化磁场施加在标识器上的困难，还会由于不断增加着的“源标记(source tagging)”通用操作而增大，即在生产过程中，在生产工厂或分配站点对商品的包装过程中，将EAS标识器固定于货品之上。而且在某些场合下，标识器可能会被定位粘接在商业制品上难以、甚至不可能与常规的退磁化装置相接近的位置。专利技术目的和专利技术概述因此，本专利技术的一个目的就是提供一种可以通过施加其强度比对常规磁力式标识器实施退活化用的强度更低的退活化磁场的方式实施退活化的磁力式EAS标识器。本专利技术的另一个目的就是提供一种可以通过以连续方式而不是以脉冲形式产生的磁场实施退活化的磁力式EAS标识器。本专利技术的还一个目的就是提供一种可以在标识器与退活化装置之间的距离比常规磁力式标识器与常规退活化装置之间的距离更大的条件下实施退活化的磁力式标识器。本专利技术的再一个目的就是提供一种可以比常规磁力式标识器更容易实施退活化的磁力式标识器。本专利技术的又一个目的就是提供一种可以使用其强度比活化常规磁力式标识器用的磁场强度更低的DC磁场实施活化的磁力式标识器。根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供了一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，它包括有一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，而且这种标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。根据本专利技术的第二方面，本专利技术还提供了一种包括有一个非结晶型磁-->致伸缩元件和一个配置在附近位置处的偏磁元件的标识器，而且这种偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。根据本专利技术的第三方面，本专利技术还提供了一种包括有一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在附近位置处的偏磁元件的标识器，而且这种偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe。根据本专利技术的第四方面，本专利技术还提供了一种包括有一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在附近位置处的偏磁元件的标识器，而且这种偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，可以使偏磁元件退磁化至不超过完全磁化磁平的5％的磁平。根据本专利技术的这一和其它方面，不仅可以使偏磁元件在比常规标识器更低的磁场磁平下实施退磁化，而且标识器在运输、储存或装卸过程中曝露在所可能出现的低磁平磁场中时，也可以使该偏磁元件基本上不被意外地退磁化。因此，在150Oe的AC磁场下产生退磁化的偏磁元件在该标识器曝露在0-20Oe的磁场中时，可以保持其稳定(即基本上为完全本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。2．一种如权利要求1所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。3．一种如权利要求2所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。4．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述的偏磁元件由具有小于55Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。5．一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。6．一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于40Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。7．一种如权利要求6所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于20Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。8．一种如权利要求7所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。9．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350Oe。10．一种如权利要求9所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。11．一种如权利要求10所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200Oe。12．一种如权利要求11所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150Oe。13．一种如权利要求12所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50Oe。14．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化磁平的5％的磁平。15．一种如权利要求14所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。16．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为20Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。17．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化磁平的5％的磁平。18．一种如权利要求17所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12Oe的AC磁场Hmd中时，所述偏磁元件的磁化磁平至少保持在完全磁化磁平的95％以上。19．一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化磁平的5％的磁平。20．一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：(a)一个非结晶型磁致伸缩元件；(b)一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应，所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。21．一种如权利要求20所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。22．一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。23．一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李查德·L·库珀朗德，凯文·R·卡菲，
申请(专利权)人：传感电子公司，
类型：发明
国别省市：