一种等离子体化学气相沉积装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种等离子体化学气相沉积装置，所述装置包括：沉积室；与所述沉积室顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头向所述沉积室底部的基台的表面喷射所述等离子体；与所述基台连接的分压模块，用于通过调节所述等离子体喷头与所述基台之间的电场强度，以调节所述等离子体的成膜速率。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体化学气相沉积装置
本申请涉及化学气相沉积
，涉及但不限于一种等离子体化学气相沉积装置。
技术介绍
在半导体工艺钨通孔(Tungsten，Wcontact)中，通常使用钛先形成钛硅化合物(TiSix)，以降低接触电阻，然后使用氮化钛(TiN)作为粘附层。传统工艺中，通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)反应的方式，在较高温度和射频(RadioFrequency，RF)激发的等离子体(Plasma)的作用下，形成in-situ(原位)的TiSix。这种方式不仅有较高的阶梯覆盖率，且减少了产品的制备周期，降低产品成本。但是，在传统PECVD过程中，随着腔体(Chamber)中产品晶圆的持续生产，腔体壁累积膜的厚度会不断增加，这势必会影响到晶圆上的薄膜生长速率，从而影响传统PECVD所生产的产品的稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供一种等离子体化学气相沉积装置。本申请的技术方案是这样实现的：r>本申请实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括：/n沉积室；/n与所述沉积室顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头向所述沉积室底部的基台的表面喷射所述等离子体；/n与所述基台连接的分压模块，用于通过调节所述等离子体喷头与所述基台之间的电场强度，以调节所述等离子体的成膜速率。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
沉积室；
与所述沉积室顶部的等离子体喷头连接的等离子体发生器，用于产生等离子体，并通过所述等离子体喷头向所述沉积室底部的基台的表面喷射所述等离子体；
与所述基台连接的分压模块，用于通过调节所述等离子体喷头与所述基台之间的电场强度，以调节所述等离子体的成膜速率。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分压模块包括：分压电阻，所述分压电阻包括至少一个可调电阻；
所述可调电阻的一端与所述基台连接，所述可调电阻的另一端接地。


3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分压模块包括：分压电容，所述分压电容包括至少一个可调电容；
所述可调电容的一端与所述基台连接，所述可调电容的另一端接地。


4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分压模块包括：依次并联的至少一个分压电阻和至少一个分压电容，或者，依次串联的至少一个所述分压电阻和至少一个所述分压电容；
其中，在所述并联的至少一个分压电阻和至少一个分压电容中，每一所述分压电阻和每一所述分压电容的一端与所述基台连接，且每一所述分压电阻和每一所述分压电容的另一端接地。


5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述分压模块包括：可调电位器；所述可调电位器的中间引脚与所述基台连接，所述可调电位器的任一端引脚接地。


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【专利技术属性】
技术研发人员：毛格，熊攀，王永平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42