【技术实现步骤摘要】
一种镀膜设备
本技术涉及太阳能电池生产设备
,具体涉及一种镀膜设备。
技术介绍
太阳能电池硅片的转化效率除了与太阳能光强和电池材料等因素相关,生产电池硅片的工艺起着至关重要的作用。目前,电池硅片一般在PVD设备内进行镀膜;PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理气相沉积,是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使阴极上的靶材以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在物体表面沉积的过程。现有PVD设备的工艺腔室示意图如图1所示,工艺腔室100上方是旋转阴极200,工艺腔室100底部是电机400和传送带300,用于制作太阳能电池的基底硅片放置在载板500上,载板500在传送带300的运动下向前运动,旋转阴极200在直流电源的作用下,发生电离并沉积在硅片表面,形成膜层。但是,现有PVD设备生产电池硅片时都是进行单次镀膜,即放置硅片的载板在旋转阴极下方单次匀速通过,为了保证膜层厚度,需使用较高功率轰击旋转阴极。众所周知,电源功率越大,温度越高,而太阳能电池的转化效率随温度升高而降低。因此,需要设计一种可以降低电池硅片镀膜过程工艺温度的镀膜设备。
技术实现思路
因此,本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中电池硅片在腔室内镀膜时,电源加载功率大、工艺腔室内温度高、影响电池硅片转化效率的缺陷,从而提供一种镀膜设备。为解决上述技术问题,本技术的技术方案如下:一种镀膜设备,包括工艺腔室以及配置在所述工艺腔室内的工艺传输机构和旋转靶材,所述工 ...
【技术保护点】
1.一种镀膜设备,包括工艺腔室(1)以及配置在所述工艺腔室(1)内的工艺传输机构和旋转靶材(2),所述工艺传输机构用于传输载板,所述旋转靶材(2)用于对所述载板上的工件进行镀膜,其特征在于,还包括:/n设置于所述工艺腔室(1)前端的前缓冲腔室(10),以及设置于所述工艺腔室(1)后端的后缓冲腔室(11),所述工艺传输机构将所述载板从所述工艺腔室(1)的前端输送到所述工艺腔室(1)的后端;/n回传输送机构,包括配置在所述工艺腔室(1)内且输送方向与所述工艺传输机构的输送方向相反的底层传送带(4)、配置在所述前缓冲腔室(10)内将所述底层传送带(4)输出的所述载板运送至所述工艺传输机构前端的前传送带(7)、以及配置在所述后缓冲腔室(11)内将所述工艺传输机构输出的所述载板运送至所述底层传送带(4)上的后传送带(5)。/n
【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备,包括工艺腔室(1)以及配置在所述工艺腔室(1)内的工艺传输机构和旋转靶材(2),所述工艺传输机构用于传输载板,所述旋转靶材(2)用于对所述载板上的工件进行镀膜,其特征在于,还包括:
设置于所述工艺腔室(1)前端的前缓冲腔室(10),以及设置于所述工艺腔室(1)后端的后缓冲腔室(11),所述工艺传输机构将所述载板从所述工艺腔室(1)的前端输送到所述工艺腔室(1)的后端;
回传输送机构,包括配置在所述工艺腔室(1)内且输送方向与所述工艺传输机构的输送方向相反的底层传送带(4)、配置在所述前缓冲腔室(10)内将所述底层传送带(4)输出的所述载板运送至所述工艺传输机构前端的前传送带(7)、以及配置在所述后缓冲腔室(11)内将所述工艺传输机构输出的所述载板运送至所述底层传送带(4)上的后传送带(5)。
2.根据权利要求1所述的镀膜设备,其特征在于,所述工艺传输机构为配置在所述工艺腔室(1)内的顶层传送带(3),所述底层传送带(4)位于所述顶层传送带(3)的下方。
3.根据权利要求2所述的镀膜设备,其特征在于,还包括后驱动电机(6)和前驱动电机(8),所述后驱动电机(6)用于驱动所述后传送带(5)升降,所述前驱动电机(8)用于驱动所述前传送带(7)升降;其中,
所述后传送带(5)在所述后驱动电机(6)的驱动下具有与所述顶层传送带(3)的输出端对接以便所述载板从所述顶层传送带(3)运送到所述后传送带(5)上的第一位置、以及与所述底层传送带(4)的输入端对接以便所述载板从所述后传送带(5)运送到所述底层传送带(4)的第二位置;
所述前传送带(7)在所述前驱动电机(8)的驱动下具有与所述底层传送带(4)的输出端对接以便所述载板从所述底层传送带(4)运送到所述前传送带(7)上的第三位置、以及与所述顶层传送带(3)的输入端对接以便所述载板从所述前传送带(7)运送到所述顶层传送带(3)的第四位置。
4.根据权利要求3所述的镀膜设备,其特征在于,还包括底层传送电机(15),用于驱动所述底层传送带水平运动;
所述底层传送电机(15)、所述后驱动电机(6)和所述前驱动电机(8)均设置于所述工艺腔室(1)的外部,...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业有限合伙,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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