具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法，具有牺牲层的镀腔内壁构件，包括镀腔内壁构件和形成于所述镀腔内壁构件表面的牺牲层，所述牺牲层在清洗过程中被去除。对被杂质层污染后的所述具有牺牲层的镀腔内壁构件用酸清洗剂进行清洗，所述清洗过程中，所述杂质层和所述牺牲层均被去除，得到清洗后的镀腔内壁构件。本发明专利技术的清洗方法付不仅能够清除掉杂质层，同时不伤害原有镀腔内壁构件。

【技术实现步骤摘要】
具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法
本专利技术涉及真空镀膜设备清洗
，更具体地，涉及一种具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法。
技术介绍
在真空镀膜设备中，镀腔内壁构件在镀膜一段时间后，表面累积的杂质层越来越厚，且杂质层厚度不均匀，由于杂质层与镀腔内壁构件的粘附力较小，且不同时间段沉积的杂质层之间的界面结合强度问题，导致杂质层易脱落，对镀膜产品表面产生污染，从而极大影响镀膜产品的良率，因此，需对镀腔内壁构件进行定期清洗。现有技术中，对镀腔内壁构件进行酸洗，以去除沉积的杂质层，然而，酸洗溶剂也易腐蚀原有的镀腔内壁构件，如何确保清除掉杂质层的同时不伤害原有镀腔内壁构件是清洗过程亟待解决的关键问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法，能够清除掉杂质层，同时不伤害原有镀腔内壁构件。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：一种具有牺牲层的镀腔内壁构件，包括镀腔内壁构件和形成于所述镀腔内壁构件表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，包括镀腔内壁构件和形成于所述镀腔内壁构件表面的牺牲层，所述牺牲层在清洗过程中被去除。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，包括镀腔内壁构件和形成于所述镀腔内壁构件表面的牺牲层，所述牺牲层在清洗过程中被去除。


2.根据权利要求1所述的具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，所述牺牲层为导电材料层。


3.根据权利要求1所述的具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，所述导电材料层的表面粗糙度为0.5微米～2微米；
所述导电材料层的厚度为50nm～900nm。


4.根据权利要求1～3中任意一项所述的具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，所述牺牲层为CdS层。


5.根据权利要求1所述的具有牺牲层的镀腔内壁构件，其特征在于，所述镀腔内壁构件的材质为铝、铝合金、钛或不锈钢。


6.一种具有牺牲层的镀腔内壁构件的制备方法，其特征在于，包括以下过程：
提供镀腔内壁构件；
在所述镀腔内壁构件的表面形成牺牲层，所述牺牲层在清洗过程中被去除。


7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述牺牲层为CdS层，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：武双元，朱峰，熊志红，陈明，杨春雷，胡明珠，王伟，韩燕坤，彭燕君，
申请(专利权)人：深圳仕上电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44