砷化镓晶体和砷化镓晶体基板制造技术

本发明专利技术涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm

【技术实现步骤摘要】
砷化镓晶体和砷化镓晶体基板本申请是申请日为2017年7月4日、国际申请号为PCT/JP2017/024463、中国申请号为201780087442.6的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。
技术介绍
化合物半导体基板如砷化镓晶体基板已经适合用作半导体器件的基板。需要开发一种在其上可以生长高品质的外延层的化合物半导体基板以形成具有高特性的半导体器件。T.Bunger等人在国际化合物半导体制造技术会议(2003)3.5(InternationalConferenceonCompoundSemiconductorMfg.(2003)3.5)中提出的“半绝缘GaAs的垂直梯度凝固法生长期间的活性炭控制(ActiveCarbonControlDuringVGFGrowthofSemiinsulatingGaAs)”(非专利文献1))公开了：为了生长半绝缘GaAs(砷化镓)晶体，通过调节GaAs原料熔体中的氧浓度来调节GaAs晶体中的碳浓度。现有技术文献非专利文献NPL1：T.Bunger本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶体，其中/n所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶体，其中
所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，
所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3，并且
所述砷化镓晶体中的n型导电性杂质浓度为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·cm-3以下。


2.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且5.0×1015原子·cm-3以下。


3.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述氧浓度为2.0×1014原子·cm-3以上且4.3×1015原子·cm-3以下。


4.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述n型导电性杂质浓度为1.0×1017原子·cm-3以上且5.0×1018原子·cm-3以下。


5.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为100mm以上且305mm以下。


6.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为100mm以上且204mm以下。


7.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其包含具有圆柱形状的直体部，其中所述直体部的直径为150mm以上且204mm以下。


8.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为1.0×1019原子·cm-3以下。


9.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且8.0×1018原子·cm-3以下。


10.根据权利要求1所述的砷化镓晶体，其中所述砷化镓晶体的硼浓度为5.0×1016原子·cm-3以上且4.1×1017原子·cm-3以下。


11.根据权利要求1至10中任一项所述的砷化镓晶体，其中所述n型导电性杂质为硅。


12.一种砷化镓晶体基板，其中
所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，
所述砷化镓晶体基板的氧浓度为7.0×1015原子·cm-3以下，并且
所述砷化镓晶体基板中的n型导电性杂质浓度为1.0×1015原子·cm-3以上且1.0×1020原子·...

【专利技术属性】
技术研发人员：福永宽，秋田胜史，石川幸雄，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP