一种砷化镓晶体生长用单晶炉制造技术

本实用新型专利技术涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座。该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈，可以提供热量来源，设置电机、减速器和转动轴，可以使得炉体内部的受热箱可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶体生长用单晶炉
本技术涉及砷化镓
，具体为一种砷化镓晶体生长用单晶炉。
技术介绍
砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等，由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。现有的砷化镓晶体生长用单晶炉存在加热过程中，热场分布不均匀，且垂向温度梯度不方便控制，造成砷化镓晶体生长的成晶率低，故而提出一种砷化镓晶体生长用单晶炉来解决上述提出的问题。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，具备成晶率高等优点，解决了现有的砷化镓晶体生长用单晶炉存在加热过程中，热场分布不均匀，且垂向温度梯度不方便控制，造成砷化镓晶体生长的成晶率低的问题。(二)技术方案为实现上述成晶率高目的，本技术提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座，所述固定座的内部固定安装有电机，所述电机输出轴的顶部且位于的固定座的内部固定安装有减速器，所述减速器远离电机输出轴的一端固定安装有延伸至炉体内部的转动轴，所述转动轴的外侧且位于炉体的内部固定安装有轴承，所述转动轴的外侧且位于轴承的上方活动安装有托盘，所述托盘的外侧固定安装有数量为四个的连接座，四个所述连接座的内侧均固定安装有延伸至炉体内侧壁的固定杆，所述转动轴远离减速器的一端固定安装有受热箱。优选的，所述托盘呈圆饼状，托盘的中部开设有与转动轴相适配的通孔，四个所述连接座呈对称式位于托盘的外侧。优选的，四个所述固定杆远离连接座的一端均固定安装有连接片，四个连接片远离固定杆的一端均与炉体的内侧壁固定连接。优选的，所述炉体的左侧壁内部开设有与观察窗相适配的安装槽，观察窗的截面呈平行四边形。优选的，所述固定座的内部固定安装有电机固定盒，电机固定盒的内部开设有与电机相适配的安装室。优选的，所述炉体的内部开设有加热室腔，加热室腔的外侧且位于炉体的内部开设有数量为三个与射频线感应圈相适配的安装孔，三个射频线感应圈的间距相等。(三)有益效果与现有技术相比，本技术提供了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，具备以下有益效果：该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈，可以提供热量来源，设置电机、减速器和转动轴，可以使得炉体内部的受热箱可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果，通过设置托盘、连接座和固定杆，可以避免受热箱在旋转过程中晃动幅度过大，影响均匀受热，通过设置四个固定杆远离连接座的一端均固定安装有连接片，四个连接片远离固定杆的一端均与炉体的内侧壁固定连接，可以使得托盘的固定更牢固，通过设置观察窗，可以方便观察晶体生长，根据不同的晶体生长过程调节控温。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术结构托盘组合俯视示意图。图中：1炉体、2夹持座、3固定座、4炉盖、5观察窗、6射频线感应圈、7电机、8减速器、9转动轴、10轴承、11托盘、12连接座、13固定杆、14受热箱。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-2，该砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体1，炉体1的顶部固定安装有炉盖4，炉体1的左侧壁内部固定安装有观察窗5，炉体1的左侧壁内部开设有与观察窗5相适配的安装槽，观察窗5的截面呈平行四边形，观察窗5的下方且位于炉体1的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈6，炉体1的内部开设有加热室腔，加热室腔的外侧且位于炉体1的内部开设有数量为三个与射频线感应圈6相适配的安装孔，三个射频线感应圈6的间距相等，炉体1的底部固定安装有夹持座2，夹持座2的底部固定安装有固定座3，固定座3的内部固定安装有电机7，固定座3的内部固定安装有电机固定盒，电机固定盒的内部开设有与电机7相适配的安装室，电机7输出轴的顶部且位于的固定座3的内部固定安装有减速器8，减速器8远离电机7输出轴的一端固定安装有延伸至炉体1内部的转动轴9，转动轴9的外侧且位于炉体1的内部固定安装有轴承10，转动轴9的外侧且位于轴承10的上方活动安装有托盘11，托盘11呈圆饼状，托盘11的中部开设有与转动轴9相适配的通孔，四个连接座12呈对称式位于托盘11的外侧，托盘11的外侧固定安装有数量为四个的连接座12，四个连接座12的内侧均固定安装有延伸至炉体1内侧壁的固定杆13，四个固定杆13远离连接座12的一端均固定安装有连接片，四个连接片远离固定杆13的一端均与炉体1的内侧壁固定连接，转动轴9远离减速器8的一端固定安装有受热箱14。综上所述，该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈6，可以提供热量来源，设置电机7、减速器8和转动轴9，可以使得炉体1内部的受热箱14可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈6的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈6之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果，通过设置托盘11、连接座12和固定杆13，可以避免受热箱14在旋转过程中晃动幅度过大，影响均匀受热，通过设置四个固定杆13远离连接座12的一端均固定安装有连接片，四个连接片远离固定杆13的一端均与炉体1的内侧壁固定连接，可以使得托盘11的固定更牢固，通过设置观察窗5，可以方便观察晶体生长，根据不同的晶体生长过程调节控温。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)的顶部固定安装有炉盖(4)，所述炉体(1)的左侧壁内部固定安装有观察窗(5)，所述观察窗(5)的下方且位于炉体(1)的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈(6)，所述炉体(1)的底部固定安装有夹持座(2)，所述夹持座(2)的底部固定安装有固定座(3)，所述固定座(3)的内部固定安装有电机(7)，所述电机(7)输出轴的顶部且位于的固定座(3)的内部固定安装有减速器(8)，所述减速器(8)远离电机(7)输出轴的一端固定安装有延伸至炉体(1)内部的转动轴(9)，所述转动轴(9)的外侧且位于炉体(1)的内部固定安装有轴承(10)，所述转动轴(9)的外侧且位于轴承(10)的上方活动安装有托盘(11)，所述托盘(11)的外侧固定安装有数量为四个的连接座(12)，四个所述连接座(12)的内侧均固定安装有延伸至炉体(1)内侧壁的固定杆(13)，所述转动轴(9)远离减速器(8)的一端固定安装有受热箱(14)。/n

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)的顶部固定安装有炉盖(4)，所述炉体(1)的左侧壁内部固定安装有观察窗(5)，所述观察窗(5)的下方且位于炉体(1)的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈(6)，所述炉体(1)的底部固定安装有夹持座(2)，所述夹持座(2)的底部固定安装有固定座(3)，所述固定座(3)的内部固定安装有电机(7)，所述电机(7)输出轴的顶部且位于的固定座(3)的内部固定安装有减速器(8)，所述减速器(8)远离电机(7)输出轴的一端固定安装有延伸至炉体(1)内部的转动轴(9)，所述转动轴(9)的外侧且位于炉体(1)的内部固定安装有轴承(10)，所述转动轴(9)的外侧且位于轴承(10)的上方活动安装有托盘(11)，所述托盘(11)的外侧固定安装有数量为四个的连接座(12)，四个所述连接座(12)的内侧均固定安装有延伸至炉体(1)内侧壁的固定杆(13)，所述转动轴(9)远离减速器(8)的一端固定安装有受热箱(14)。


2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶体生长用单晶炉，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马争荣，王建玲，
申请(专利权)人：高密普特电子设备有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37