一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法，涉及化合物半导体单晶生长技术领域。本发明专利技术的一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法，烘烤装置包括三通管、盖板、小孔径连接板、大孔径连接板和卡具，所述大孔径连接板设置于盖板和三通管之间，所述小孔径连接板设置于三通管和卡具之间，所述三通管上于靠近大孔径连接板的位置还设置有针阀，所述针阀的外表面设置有刻度盘。本发明专利技术公开了一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法，通过小孔径连接板和针阀双重控制，能够有效控制进入或流出石英烤管的气流大小，从而有效避免石英烤管内的坩埚发生碰撞，造成损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法
本专利技术涉及化合物半导体单晶生长
，尤其涉及一种大尺寸坩埚烘烤装置及烘烤方法。
技术介绍
在目前的VGF砷化镓单晶生长中，是将多晶料放置于PBN坩埚中进行生长。随着生长技术越来越成熟，大尺寸晶棒带来的效益更高，这就需要大尺寸的PBN坩埚，一般6寸及以上(如6寸、8寸)的坩埚为大尺寸坩埚，小于6寸(如4寸、3寸、2寸)的坩埚为小尺寸坩埚。PBN坩埚是一种新型陶瓷材料，硬度大且脆，一般坩埚的厚度在1mm左右，PBN坩埚的生产工艺很简单，但是大尺寸坩埚在生产过程中工艺条件控制很难，造成大尺寸坩埚的合格成品率低，同厂家同材质的大尺寸坩埚(6寸坩埚)比小尺寸坩埚(4寸坩埚)出厂价贵一倍以上。大尺寸坩埚在单晶生长重复使用过程很容易损坏，尤其在坩埚烘烤环节容易发生冲撞损坏。传统的大尺寸坩埚烘烤方式，是采用对应尺寸的石英烤管和卡具，在石英烤管内依次摆放坩埚后套、坩埚前套、坩埚前套、坩埚后套，坩埚前套和后套的区别在于前套有个籽晶腔，后套没有，这样的摆放方式可以防止充气时坩埚前套撞击到石英烤管上而损坏籽晶腔，在实际本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大尺寸坩埚烘烤装置，包括三通管、盖板、小孔径连接板、大孔径连接板和卡具，其特征在于，所述大孔径连接板设置于盖板和三通管之间，所述小孔径连接板设置于三通管和卡具之间，所述三通管上于靠近大孔径连接板的位置还设置有针阀。/n

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸坩埚烘烤装置，包括三通管、盖板、小孔径连接板、大孔径连接板和卡具，其特征在于，所述大孔径连接板设置于盖板和三通管之间，所述小孔径连接板设置于三通管和卡具之间，所述三通管上于靠近大孔径连接板的位置还设置有针阀。


2.根据权利要求1所述的一种大尺寸坩埚烘烤装置，其特征在于，所述大孔径连接板的中间孔径为20mm，所述小孔径连接板的中间孔径为4mm。


3.根据权利要求1或2所述的一种大尺寸坩埚烘烤装置，其特征在于，所述针阀的外表面设置有刻度盘。


4.一种大尺寸坩埚烘烤方法，其特征在于，所述方法使用权利要求3所述的坩埚烘烤装置，具体包括以下步骤：
1)在石英烤管内摆放好需要烘烤的坩埚，摆放完成后，将石英烤管对准卡具，上好密封圈并锁紧；
2)将针阀完全开启，对石英烤管进行加热升温，升温至250℃保温90min，；
3)保温完成后，继续加热使得石英管内升温至850℃，在升温过程中，同时开启真空泵抽取石英烤管内空气，10s后，真空泵正常运行，缓慢关闭针阀，控制石英烤管内的压力以0.05～0.5Pa/s的速率下降，针阀每关闭一个刻度，同时观察石英烤管内坩埚情况，若出现坩埚移动，立即停止关闭针阀，待稳定后继续关闭针阀至石英烤管内压力值下降至9.9E-1Pa以下，最后完全关闭针阀，保温90min；
4)保温完成...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖雨，李勇，
申请(专利权)人：威科赛乐微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50