一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用技术

本申请公开了一种无机化合物晶体CsSb

【技术实现步骤摘要】
一种无机化合物晶体CsSb5S8及其制备方法、应用
本申请涉及一种无机化合物晶体及其制备方法、应用，属于无机相变材料

技术介绍
伴随着社会的不断发展和技术的持续进步，计算机在平时的学习、工作和生活中起到举足轻重的作用。人类跨入信息时代以来，计算机对信息量的储存和处理的需求越来越大，以往的一些储存器已然不能完全满足人们逐步增长的需求。因此，研发大容量和高速度的存储器具有十分重要的意义。近些年来，Intel、Samsung、IBM、Philips和STMicroelectronics等公司和很多研究所以及高校都在相变存储器领域着手进行研究与开发，在存储器的基础和应用研究领域取得了较多的成果，很大程度上促进了这一领域的发展。相变存储器的核心部件一般是以硫属化合物为基础的相变材料，它们在热或者其它刺激条件下存在晶态相和非晶态相的转变，这两种状态下存在的结构差异会引起相变材料的光学或电学性能的显著不同。所以，研究新型的相变化合物对于相变存储器的发展变得极为重要。
技术实现思路
根据本申请的第一个方面，提供一例无机化合物晶体C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无机化合物晶体，其特征在于，所述的无机化合物晶体的化学式CsSb

【技术特征摘要】
1.一种无机化合物晶体，其特征在于，所述的无机化合物晶体的化学式CsSb5S8，属于单斜晶系，空间群为P21/n。


2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体为一维无穷大的带状结构由多个[SbS3]和[SbS4]单元共角和共边形成，Cs离子作为电荷补偿离子通过离子键将这些带状结构连接起来。


3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的晶胞参数为Z＝4；
优选地，晶胞参数为
优选地，


4.权利要求1至3任一项所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，将含有钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的原料混合物，在抽真空条件下，于700℃～900℃温度下发生反应，降温得到。


5.根据权利要求4所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的摩尔比例为：
Ba：Sb：S：Cs＝1：4～6：7～10：5～9。
优选地，所述原料混合物中，钡元素、锑元素、硫元素、铯元素的摩尔比例为：
Ba：Sb：S：Cs＝1：4.5～5.5：8～9：6～8。


6.根据权利要求4所述的无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述原料混合物中，钡元素来自钡单质、氯化钡、硫化钡中的至少一种；
锑元素来自锑单质、硫化锑中的至少一种；
硫...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文发，郭国聪，姜小明，刘彬文，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建;35