层状三元过渡金属碲化物单晶体、其制备方法及其应用技术

本发明专利技术提供了一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；本发明专利技术制备的层状三元过渡金属碲化物基单晶体可生长为针状单晶，带状单晶或片状单晶。本发明专利技术提供的制备方法具有工艺简单可行、产率高、结晶性好且可扩大规模生产的优点，非常适用于三元碲化物的基础研究和实际应用。

【技术实现步骤摘要】
层状三元过渡金属碲化物单晶体、其制备方法及其应用
本专利技术涉及层状单晶材料
，尤其涉及一种层状三元过渡金属碲化物单晶体、其制备方法及其应用。
技术介绍
范德华力层状材料是由二维分子晶体通过层层有序堆叠形成的材料，根据分子晶体的组成、对称性、配位形式等通常会有多种多样的化学和物理性质，比如层状材料具有从金属到绝缘体的电学行为，从高透光率到高光吸收率的光学行为。此外，由于具有大的层间距和弱的层间作用力，因此层状材料可以通过化学或者物理手段剥离，由此得到具有极薄厚度的二维纳米材料。二维纳米材料大大扩宽了材料的种类并在微纳电子器件、微纳传感器等具有很大的潜在应用价值。在众多的层状材料中，层状碲化物材料通常具有独特的性质，这是由于碲具有大的原子质量，使得碲化物材料的电子结构异常复杂。比如层状二碲化钨是一类典型的二类外耳半金属材料，在低温下表现出极大的不饱和磁阻，在高压下会出现超导转变，表现出多种复杂电子结构带来的奇异物理行为。目前对碲化物的研究集中在简单的层状二元碲化物，层状三元碲化物具有更丰富的元素组成、更多变的晶体结构特征和更本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：/n将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；所述X粉末、M粉末和碲粉末的摩尔比为1：(1～5)：(1～5)；/nX

【技术特征摘要】
1.一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：
将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；所述X粉末、M粉末和碲粉末的摩尔比为1：(1～5)：(1～5)；
XaMbTec(Ⅰ)；
其中，X代表VB族金属元素中的一种或多种，M代表Ⅷ族金属元素中的一种或多种；
a：b：c＝1：(1～5)：(1～5)。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述输运剂选自溴和碘中的一种或两种，所述输运剂的含量为5～100μmol/cm3。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热的温度为700～1200℃，时间＞30min。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述层状三元过渡金属碲化物单晶体为TaNiTe5，所述加热的温度为700℃～900℃；
所述层状三元过渡金属碲化物单晶体为TaNi2Te2，所述加热的温度为800℃～1000℃；
所述层状三元过渡金属碲化物单晶体为TaNi2Te3，所述加热的温度为850℃～1000℃；
所述层状三元过渡金属碲化...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴长征，郭宇桥，吴俊驰，谢毅，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34