一种倍频晶体的电化学制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倍频晶体的电化学制备方法，具体包括：配制含有有机目标分子的电解质溶液；采用电化学三电极体系以过渡金属硫化物为工作电极，进行电化学插层反应，使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体，本发明专利技术通过电化学插层技术使自然生长的二维层状过渡金属硫化物晶体发生层间解耦，打破晶体的对称性结构，使高非线性系数的单层材料实现逐层加和方式的二次谐波信号产生，通过简易方法制备超薄的高效率倍频晶体。

【技术实现步骤摘要】
一种倍频晶体的电化学制备方法
本专利技术属于倍频晶体
，具体涉及一种倍频晶体的电化学制备方法。
技术介绍
光电子技术是光子和电子领域的新型结合技术，涉及到光显示和激光等领域的信息产业核心技术。在该
的发展中，人们十分关注相干激光发射光源的研究。非线性光学是研究介质在强相干光作用下所产生的非线性光学现象及其应用。在各类光子和光电器件中非线性光学相关研究均有着重要的作用，特别是涉及到高功率激光的相关应用。当强光进入具有非线性效应的介质后，除原固有频率外还将产生高次谐波。利用非线性光学中的倍频和差频等特点，可以有效调节激光光源，拓宽应用范围。根据大量报道已知自然生长的体相二维层状半导体晶体材料大部分为AB堆叠的中心对称结构，对二次谐波响应较小甚至无法实现。若剥离为单层晶体结构则可打破中心对称性。根据已有报道，二维层状过渡金属硫化物的单层材料表现出了高效的非线性光学效应，不足是单层材料吸光效率较低，往往不到百分之五。倍频晶体主要包括铌酸锂、磷酸二氢钾、砷化镓以及硼酸盐类晶体，目前已有的人工倍频晶体大多是由化学气相沉积方法制备，成本高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于，具体包括：/n配制含有有机目标分子的电解质溶液；/n在电解质溶液中，采用电化学三电极体系进行电化学插层反应，其中以二维层状过渡金属硫化物为工作电极，使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于，具体包括：
配制含有有机目标分子的电解质溶液；
在电解质溶液中，采用电化学三电极体系进行电化学插层反应，其中以二维层状过渡金属硫化物为工作电极，使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体。


2.根据权利要求1所述的倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于：电解质溶液包含有机溶剂、目标有机分子和导电盐，所述目标有机分子在所述电解质溶液中的含量为0.1～1g/L。


3.根据权利要求2所述的倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于：所述目标有机分子为十六烷基三甲基溴化铵、苝四甲酸二酐、四丁基溴化铵、蒽、富勒烯、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷、红荧烯中的一种。


4.根据权利要求2所述的倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、异丙醇、环己烷、丙酮、乙腈中的一种。


5.根据权利要求2所述的一种倍频晶体的电化学制备方法，其特征在于：所述导电盐...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐伟高，林佳敏，刘诚，聂玉峰，丁梦宁，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32