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本发明提供了一种层状三元过渡金属碲化物单晶体的制备方法，包括以下步骤：将X粉末、M粉末、碲粉末与输运剂在真空密闭的环境中加热，反应，得到如式(Ⅰ)所示的层状三元过渡金属碲化物单晶体；本发明制备的层状三元过渡金属碲化物基单晶体可生长为针状单晶...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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