硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用技术

技术编号:29445218 阅读:40 留言:0更新日期:2021-07-27 17:00
本发明专利技术涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途,该晶体的化学式为Li

Medium and far infrared nonlinear optical crystal of sulfur germanium magnesium lithium and its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
本专利技术涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体材料及制备方法和应用,属于红外非线性光学晶体的领域。
技术介绍
非线性光学晶体作为固态激光器中的频率转换器件,引起了激光科学技术的广泛关注。其中红外非线性光学晶体在实际应用中具有重要作用,如激光定向、资源探测和长距离激光通讯等。传统的非线性光学晶体如硼酸盐(β-BaB2O4(BBO)、LiB3O5(LBO)、CsLiB6O10(CLBO)、KBe2BO3F2(KBBF))、磷酸盐(KH2PO4(KDP)、KTiOPO4(KTP))在紫外和可见光范围内应用比较广泛,但是它们在中远红波段非线性系数较小、红外截止边较窄,限制了其在红外波段的应用。目前商业化的红外非线性光学材料有AgGaS2、AgGaSe2和ZnGeP2等,该类材料具有大的非线性光学效应、宽的透过范围,但由于存在一些本征性能缺陷,如低的激光损伤阈值、1μm附近的双光子吸收等,在当前高功率激光输出领域的应用受到了限制,已不能完全满足当前激光技术发展的需求,亟需开发、设计具有平衡大倍频及高损伤阈本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体,其特征在于,该晶体的化学式为Li

【技术特征摘要】
1.一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体,其特征在于,该晶体的化学式为Li4MgGe2S7,分子量为421.67,属于单斜晶系,空间群为Cc,晶胞参数为a=16.872(6)Å,b=6.711(2)Å,c=10.156(4)Å;α=90°,β=95.169(5)°,γ=90°,V=1145.3(7)Å3,所述晶体以[LiS4]、[MgS4]和[GeS4]基团组成,晶体带隙为4.12eV。


2.根据权利要求1所述的硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体的制备方法,其特征在于,采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备:
高温熔体自发结晶法生长硫锗镁锂红外非线性光学晶体,具体操作按下列步骤进行:
a、将Li源材料为Li或Li2S;Mg源材料为Mg、MgCl2或MgS;Ge源材料为Ge或GeS2的单质或化合物原料混合均匀,放入干净的石墨坩埚,然后装入石英玻璃管中,将石英管通过真空泵抽到10-5-10-3Pa真空度后进行熔融封口;
b、将步骤a中石英管放入程序控温的马弗炉中,以升温速率为30-40℃/h升至950-1050℃,保...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘世烈李俊杰艾力江·阿卜杜如苏力王鹏
申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
类型:发明
国别省市:新疆;65

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1