气相外延方法技术

气相外延方法，具有以下方法步骤：提供第一传导类型的III‑V衬底，在装载温度T

【技术实现步骤摘要】
气相外延方法
本专利技术涉及一种气相外延方法。
技术介绍
已知不同的用于外延产生半导体层的气相外延设施，例如Aixtron公司的气相外延设施。这些方法典型的共同之处在于，反应腔为了装入衬底而被打开，然后被关闭、泵出并且被充分加热，以便随后通过导入到反应腔中的气流引起半导体层在衬底的表面上的生长。气流的成分取决于要生长的层的类型，其中，典型的前体、如砷化氢和/或三甲基镓提供用于要生长的半导体层的元素并且针对层的掺杂必要时也添加用于掺杂剂的前体。
技术实现思路
在该背景下，本专利技术的任务在于，说明一种扩展现有技术的方法。所述任务通过具有权利要求1的特征的方法来解决。本专利技术的有利构型是从属权利要求的主题。根据本专利技术的主题，提供一种气相外延方法，其具有以下方法步骤：-提供第一传导类型的III-V衬底，-在装载温度TB的情况下将III-V衬底装入到气相外延设施的反应腔中，-在导入初始气流的情况下将III-V衬底从装载温度TB加热到外延温度TE，该初始气流具有承载气体和用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.气相外延方法，具有以下方法步骤：/n-提供第一传导类型的III-V衬底(S)，/n-在装载温度T

【技术特征摘要】
20191220 DE 102019008928.61.气相外延方法，具有以下方法步骤：
-提供第一传导类型的III-V衬底(S)，
-在装载温度TB的情况下将所述III-V衬底(S)装入到气相外延设施(A)的反应腔(K)中，
-在导入初始气流(I)的情况下将所述III-V衬底(S)从所述装载温度TB加热到外延温度TE，该初始气流具有承载气体和用于V.主族中的第一元素的第一前体，
-由导入到所述反应腔中的外延气流的气相将具有所述第一传导类型的掺杂剂的掺杂剂浓度(Dmax，Dmin)的III-V层沉积在所述III-V衬底(S)的表面上，该外延气流具有所述承载气体、所述第一前体和用于III.主族的元素的至少一个第二前体，
其特征在于，
-在从所述装载温度TB加热到所述外延温度TE期间，将用于所述第一传导类型的掺杂剂的第三前体添加给所述初始气流(I)。


2.根据权利要求1所述的气相外延方法，其特征在于，在所述加热期间在低于500℃的温度或者低于400℃的温度或者低于300℃的温度的情况下开始所述第三前体的添加。


3.根据权利要求1或2所述的气相外延方法，其特征在于，所述初始气流的总质量流最高为所述外延气流的总质量流的10％。


4.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，使用行星反应器作为所述反应腔(K)。


5.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，提供具有至少1·1017cm-3或者至少1·1018cm-3的掺杂剂浓度(DSUB)的III-V衬底。


6.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，生长出具有从1017cm-...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·瓦赫特，G·凯勒，
申请(专利权)人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE