一种硅片氧化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种硅片氧化装置，包括箱体以及置于所述箱体内侧：用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；用于对所述硅片表面进行加热的加热单元；用于对所述硅片表面进行氧化的氧化单元；和用于对所述硅片冷却的降温单元；所述放置单元被设置于所述箱体底部，所述加热单元、所述氧化单元和所述降温单元均位于所述放置单元的上方。本实用新型专利技术提出的氧化装置，结构设计合理且易于控制，仅需要向箱体内通入真空压缩空气和发射紫外线光，即可形成易于氧化硅片表面的臭氧，整个操作过程未使用任何化学试剂，且也不污染空气，而且在硅片表面是非破坏性的，快速准确地在较短的时间内完成对硅片正面的氧化工作，形成所需的氧化层二氧化硅。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片氧化装置
本技术属于半导体硅片测试
，尤其是涉及一种硅片氧化装置。
技术介绍
硅片表面质量直接影响硅片中少数载流子寿命，快速、精准地在硅片表面形成一层氧化层，为后续硅片表面钝化处理打好基础，可有效降低表面复合效应对少数载流子寿命测试的影响。现有硅片表面的自然氧化层不稳定，存在较多悬挂键，通常需要对硅片表面进行预处理形成稳定、致密性较好氧化层，便于测试。相比于传统的化学方法，如何快速、精准地在硅片表面形成一层氧化层，且无需使用化学试剂进行处理，不仅保证硅片表面质量，而且减少作业流程，提高测试效率、节约测试时间并降低能耗，是高质量、低成本加工硅片的关键。
技术实现思路
本技术提供一种硅片氧化装置，尤其是适用于抛光硅片的少数载流子寿命测试，解决了现有技术采用化学试剂对硅片表面进行处理，导致预处理时间长、准确性差且污染环境的技术问题。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种硅片氧化装置，包括箱体以及置于所述箱体内侧：用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片氧化装置，其特征在于，包括箱体以及置于所述箱体内侧：/n用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；/n用于对所述硅片表面进行加热的加热单元；/n用于对所述硅片表面进行氧化的氧化单元；/n和用于对所述硅片冷却的降温单元；/n所述放置单元被设置于所述箱体底部，所述加热单元、所述氧化单元和所述降温单元均位于所述放置单元的上方。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化装置，其特征在于，包括箱体以及置于所述箱体内侧：
用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；
用于对所述硅片表面进行加热的加热单元；
用于对所述硅片表面进行氧化的氧化单元；
和用于对所述硅片冷却的降温单元；
所述放置单元被设置于所述箱体底部，所述加热单元、所述氧化单元和所述降温单元均位于所述放置单元的上方。


2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化装置，其特征在于，所述放置单元包括若干悬空设置的卡托和置于所述卡托下方且用于支撑所述卡托的短柱，且相邻所述短柱均相互独立设置。


3.根据权利要求2所述的一种硅片氧化装置，其特征在于，所述卡托为L型结构。


4.根据权利要求3所述的一种硅片氧化装置，其特征在于，所述短柱与所述卡托数量相同，且所述卡托为橡胶托。


5.根据权利要求1-4任一项所述的一种硅片氧化装置，其特征在于，所述加热单元包括至少一个红外线灯和用于监...

【专利技术属性】
技术研发人员：由佰玲，邓春星，周迎朝，董楠，原宇乐，苗向春，武卫，刘建伟，刘园，孙晨光，王彦君，祝斌，刘姣龙，裴坤羽，常雪岩，杨春雪，谢艳，袁祥龙，张宏杰，刘秒，吕莹，徐荣清，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12