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本实用新型提供一种硅片氧化装置，包括箱体以及置于所述箱体内侧：用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；用于对所述硅片表面进行加热的加热单元；用于对所述硅片表面进行氧化的氧化单元；和用于对所述硅片冷却的降温单元；所述放置单元被设置于所...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。