一种晶圆片腐蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶圆片腐蚀装置，包括：设有药液的槽体；和用于承载晶圆片的调整机构；所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置；所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆片上V型槽的朝向位置，从而控制所述晶圆片进入所述槽体内和被提取时的状态，使先进入所述槽体中的所述晶圆片的部位被先取出。本实用新型专利技术结构设计合理，可精准控制晶圆片旋转并使所有晶圆片中的V型槽均同步同向移动，可降低晶圆片表面损伤层厚度偏差值并使偏差值从400‑500nm降低至150‑200nm，提高晶圆片表面平坦度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片腐蚀装置
本技术属于半导体硅片加工
，尤其是涉及一种晶圆片腐蚀装置。
技术介绍
半导体硅片减薄研磨后，在硅片表面有一层机械损伤层，主要是硅，在抛光之前必须要进行去除，现有均采用碱液腐蚀进行去除，腐蚀损伤层厚度的均匀性直接影响着几何参数中的TTV和理化测试结果，甚至影响到后道工序的生产。由于现有腐蚀装置结构设计的不合理，导致晶圆片进入腐蚀槽后仍然按照原始进入放置的状态被取出，但这种结构是使先进入的部位后被取出，而不是先进先出，导致先进入的部分浸入药液时间长，其腐蚀的厚度要大，从而导致先进入的部分与后进入的部分的损伤层厚度去除不均匀，严重影响晶圆片产品质量。
技术实现思路
本技术提供一种晶圆片腐蚀装置，解决了现有技术中腐蚀厚度不均匀、偏差值较大的技术问题。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种晶圆片腐蚀装置，包括：设有药液的槽体；和用于承载晶圆片的调整机构；所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置；所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆片腐蚀装置，其特征在于，包括：/n设有药液的槽体；/n和用于承载晶圆片的调整机构；/n所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置；/n所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆片上V型槽的朝向位置，从而控制所述晶圆片进入所述槽体内和被提取时的状态，使先进入所述槽体中的所述晶圆片的部位被先取出。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片腐蚀装置，其特征在于，包括：
设有药液的槽体；
和用于承载晶圆片的调整机构；
所述调整机构沿所述槽体长度方向并贯穿所述槽体设置；
所述调整机构可控制所述晶圆片原地同心旋转以调整所述晶圆片上V型槽的朝向位置，从而控制所述晶圆片进入所述槽体内和被提取时的状态，使先进入所述槽体中的所述晶圆片的部位被先取出。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆片腐蚀装置，其特征在于，所述调整机构包括：
若干间隙设置的调整杆；
和用于控制所述调整杆旋转的驱动源；
在所述调整杆上设有若干用于放置所述晶圆片的卡槽，所述卡槽绕设于所述调整杆外壁面设置；
所述驱动源被置于所述槽体外侧并与所述调整杆的其中一端连接，所述驱动源控制所有所述调整杆同步旋转。


3.根据权利要求2所述的一种晶圆片腐蚀装置，其特征在于，每个所述调整杆配设有一个所述驱动源，且所有所述驱动源均同侧设置。


4.根据权利要求2或3所述的一种晶圆片腐蚀装置，其特征在于，所述调整杆的数量至少有三个，所述调整杆与所述晶圆片接触的其中一个连接点位于所述晶圆片的最低端，另外两个连接点同高设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘姣龙，刘建伟，刘园，武卫，由佰玲，裴坤羽，孙晨光，王彦君，祝斌，常雪岩，杨春雪，谢艳，袁祥龙，张宏杰，刘秒，吕莹，徐荣清，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12