一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜制造技术

技术编号:29599576 阅读:49 留言:0更新日期:2021-08-06 20:03
本实用新型专利技术属于半导体的技术领域,公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜;所述缓冲层为In

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜
本技术属于半导体的
,具体涉及一种以大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜。
技术介绍
氮化镓材料作为第三代半导体的典型代表,由于其具有禁带宽度大,电子迁移率高等特点,已经成为未来半导体领域最有可能取代Si的材料。尤其是氮化镓基器件在微波、毫米波频段广泛应用于无线通信、雷达等电子系统,在光电子和微电子领域具有十分广阔的发展前景。高性能器件的实现在于高质量的材料制备以及优良的器件加工工艺的结合。由于目前常用的衬底制备技术很难应用于GaN衬底的生产,所生产的GaN衬底尺寸有限且价格昂贵。而现今的半导体发展潮流是在大尺寸衬底上进行材料生长与器件加工,因此,以GaN作为衬底进行同质外延极难实现。现在业界普遍使用的衬底是碳化硅,蓝宝石以及单晶硅。相较于硅和蓝宝石,碳化硅衬底热导率高,散热性好,是制备GaN射频、功率器件的首选。但是与其他衬底一样,使用SiC衬底进行异质外延仍不可避免两个问题:晶格失配和热失配。材料与衬底的晶格失配导致在GaN外延层在生长初期会产生非常大的晶格失配应力,当生长的GaN外延层的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,其特征在于:自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜;所述缓冲层为In

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,其特征在于:自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜;所述缓冲层为InxAl1-xN缓冲层或InxAl1-xN/In0.18Al0.82N缓冲层。


2.根据权利要求1所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜,其特征在于:所述AlN成核层为低温AlN成核层和高温AlN成核层;
所述InxAl1-x...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国强邢志恒吴能滔李善杰孙佩椰姚书南王文樑
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:新型
国别省市:广东;44

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