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本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为In...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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