一种硅片制作方法及硅片技术

本发明专利技术公开了一种硅片制作方法及硅片，涉及微电子技术领域，硅片制作方法包括：首先在硅片的表面形成氧化层；然后通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜；接着在保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，再利用腐蚀液在氧化层上腐蚀出图形；然后利用硅槽腐蚀液根据图形对硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于图形确定的硅槽；最终去除光刻胶层，形成具有硅槽的硅片，通过上述步骤，相较于现有技术中硅槽制作过程中由于光刻胶层过早的脱落造成的硅槽结构不完整的问题，利用化学气相沉积法形成的保护膜能够实现一种能够保证硅槽结构完整的硅片制作技术方案。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片制作方法及硅片
本专利技术涉及领域，具体而言，涉及微电子

技术介绍
随着微电子行业的发展，各类硅产品应用在各种场景中，硅槽作为硅产品的重要结构特征，用于容纳芯片以及相关微电子器件的作用。而在现有技术中，硅槽的制作过程一般采取传统的硅槽腐蚀工艺，由于在硅槽腐蚀过程中放热量巨大，随着台面腐蚀时间进行，用于进行曝光显影的光刻胶的耐腐蚀性逐渐变差，在未达到硅槽形貌的情况下，光刻胶已完全脱落，光刻胶的脱落一方面导致硅槽的造型发生变化，如槽深、槽宽不符合工艺要求，影响芯片的反向电压；另一方面光刻胶脱落导硅片表面氧化层被台面腐蚀液腐蚀，氧化层厚度发生变化，或出现发黑的现象，影响芯片可靠性。有鉴于此，如何提供一种能够保证硅槽结构完整的硅片制作方案，是本领域技术人员需要解决的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种硅片制作方法及硅片。第一方面，本专利技术提供一种硅片制作方法，包括：将硅片放置于具有设定温度的氧化环境，在硅片的表面形成氧化层；通过化学气相沉积法在氧化层的表面形成保护膜；...

【技术保护点】
1.一种硅片制作方法，其特征在于，包括：/n将硅片放置于具有设定温度的氧化环境，在所述硅片的表面形成氧化层；/n通过化学气相沉积法在所述氧化层的表面形成保护膜；/n在所述保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，所述保护膜用于增强所述光刻胶层与所述氧化层的粘附性；/n利用腐蚀液按照所述图形对所述氧化层进行腐蚀，以在所述氧化层上腐蚀出所述图形；/n利用硅槽腐蚀液根据所述图形对所述硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于所述图形确定的硅槽；/n去除所述光刻胶层，形成具有所述硅槽的硅片。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片制作方法，其特征在于，包括：
将硅片放置于具有设定温度的氧化环境，在所述硅片的表面形成氧化层；
通过化学气相沉积法在所述氧化层的表面形成保护膜；
在所述保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，所述保护膜用于增强所述光刻胶层与所述氧化层的粘附性；
利用腐蚀液按照所述图形对所述氧化层进行腐蚀，以在所述氧化层上腐蚀出所述图形；
利用硅槽腐蚀液根据所述图形对所述硅片的本体进行槽腐蚀，以形成基于所述图形确定的硅槽；
去除所述光刻胶层，形成具有所述硅槽的硅片。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定温度为800℃至1100℃之间。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过化学气相沉积法在所述氧化层的表面形成保护膜，包括：
利用化学气相沉积法将液态源Si(OC2H5)4淀积至所述氧化层的表面形成保护膜。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为1500埃到2500埃之间。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述保护膜的表面形成光刻胶层，并利用光刻版上的图形进行光刻工艺，包括：
对所述硅片进行脱水烘焙；

【专利技术属性】
技术研发人员：于航，马占良，刘俊嘉，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22