【技术实现步骤摘要】
半导体结构的加工方法及半导体结构
本专利技术涉及半导体结构制备工艺
，尤其是涉及一种半导体结构的加工方法及半导体结构。
技术介绍
目前，在半导体结构形成工艺中，通常在砷化镓/铝镓砷（GaAs/AlGaAs）等堆叠结构上形成氮化硅（SiNx）薄膜，采用干法刻蚀工艺，在氮化硅表面形成沟槽，然后在刻蚀后的氮化硅表面蒸镀金属层，由于刻蚀后的氮化硅表面具有尖锐的台阶拐角，导致蒸镀后的金属层在台阶处容易断裂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构加工方法及半导体结构，以缓解现有技术中存在的由于刻蚀后的氮化硅表面具有尖锐的台阶拐角，导致蒸镀后的金属层在台阶处容易断裂的技术问题。基于上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：S1.在沉积有氮化硅层的堆叠结构上形成光阻层，所述光阻层位于所述氮化硅层的上表面；S2.在所述光阻层的上方形成掩模版，所述掩模版与所述光阻层之间间隙设置，在所述掩模版的上方设置第一光源和第二光源，所述第一光源以第一入射角...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：/nS1.在沉积有氮化硅层（20）的堆叠结构上形成光阻层（10），所述光阻层（10）位于所述氮化硅层（20）的上表面；/nS2.在所述光阻层（10）的上方形成掩模版（103），所述掩模版（103）与所述光阻层（10）之间间隙设置，在所述掩模版（103）的上方设置第一光源（101）和第二光源（102），所述第一光源（101）以第一入射角对位于所述掩模版（103）一侧的所述光阻层（10）进行曝光，所述第二光源（102）以第二入射角对位于所述掩模版（103）另一侧的所述光阻层（10）进行曝光；/nS3.对曝光后的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：
S1.在沉积有氮化硅层（20）的堆叠结构上形成光阻层（10），所述光阻层（10）位于所述氮化硅层（20）的上表面；
S2.在所述光阻层（10）的上方形成掩模版（103），所述掩模版（103）与所述光阻层（10）之间间隙设置，在所述掩模版（103）的上方设置第一光源（101）和第二光源（102），所述第一光源（101）以第一入射角对位于所述掩模版（103）一侧的所述光阻层（10）进行曝光，所述第二光源（102）以第二入射角对位于所述掩模版（103）另一侧的所述光阻层（10）进行曝光；
S3.对曝光后的光阻层（10）进行显影处理，以形成燕尾槽（104）；
S4.以所述燕尾槽（104）的槽口为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对所述氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀；
S5.对所述光阻层（10）进行第一次等离子体处理，去除设定厚度的光阻层（10），以剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，以在所述氮化硅层（20）的开口处形成第一个台阶结构；
S6.对第N次等离子体处理后剩余的光阻层（10）进行第N+1次等离子体处理，N的取值范围为[1，2，3，……，n]，n为大于等于1的正整数，去除设定厚度的光阻层（10），以第N+1次等离子体处理后剩余的光阻层（10）为掩模，以垂直于所述光阻层（10）的方向对位于所述光阻层（10）外部的氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，以在所述氮化硅层（20）的开口处形成第N+1个台阶结构；
S7.去除所述光阻层（10），并对所述氮化硅层（20）的上表面进行等离子体轰击；
S8.在所述氮化硅层（20）的表面以及所述堆叠结构的外露表面形成金属层（50）。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第一入射角的角度为15°~40°，所述第二入射角的角度为15°~40°。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的加工方法，其特征在于，在步骤S4中，采用含氟气体对所述氮化硅层（20）进行等离子体刻蚀，其中，CHF3和O2的体积比为（3~8）:1，压力为6~10mTorr，射频功率为100~1...
【专利技术属性】
技术研发人员：白龙刚，惠利省，于良成，浦栋，张松涛，杨国文，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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