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本发明涉及半导体结构制备工艺技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的加工方法及半导体结构。加工方法包括在沉积有氮化硅层的堆叠结构上形成光阻层；在掩模版上方设置第一光源和第二光源，第一光源以第一入射角对光阻层进行曝光，第二光源以第二入射角对光阻层...
该专利属于度亘激光技术(苏州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过度亘激光技术(苏州)有限公司授权不得商用。

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