化学机械抛光方法技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光方法，包括：提供一硅片，所述硅片具有一缺口；形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，去除所述保护层。通过在所述硅片的表面覆盖保护层，在对所述硅片的缺口进行化学机械抛光时，抛光液流到所述硅片的表面时，由于所述保护层对所述硅片的表面保护，使得所述硅片的表面不被所述抛光液腐蚀，从而能够解决所述硅片表面的边缘和中间腐蚀不均匀，硅片表面会出现stain(污点)缺陷的问题。

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种化学机械抛光方法。
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是非常重要的一道工序，也被称之为化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization，CMP)。所谓化学机械抛光，通常是将硅片安装到硅片载体上，并与抛光布的抛光层接触，抛光布高速旋转，抛光介质(例如浆液)被分配到抛光垫上且吸入硅片与抛光层之间的间隙中，硅片在压力装置的压力作用与抛光布相互摩擦，被研磨去除多余材料，并最终使硅片的研磨面被抛光并获得平坦表面。硅片缺口作为硅片的对准标记，硅片缺口的抛光工作过程中硅片载体夹住硅片，抛光垫(NotchPAD)对准硅片缺口处并且施加压力，然后抛光液管道(slurrypipe)对准硅片缺口处流出抛光液(slurry)。来对硅片的缺口处进行化学机械抛光。因为抛光液主要沿着硅片的边缘流动，会出现硅片表面的边缘和中间区域腐蚀不均匀的现象。从而在目视检查下，硅片表面会出现污点(stain)缺陷。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：/n提供一硅片，所述硅片具有一缺口；/n形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；/n对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，/n去除所述保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：
提供一硅片，所述硅片具有一缺口；
形成一层保护层，所述保护层覆盖所述硅片的表面；
对所述硅片的缺口进行化学机械抛光以去除所述缺口的表面缺陷；以及，
去除所述保护层。


2.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，在提供一硅片的步骤中，所述硅片已完成正面化学机械抛光和背面化学机械抛光；在所述硅片的表面形成一层保护层之前，对所述硅片进行清洗以去除所述硅片表面残留的抛光液。


3.如权利要求2所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述保护层为氧化膜。


4.如权利要求3所述的化学机械抛光方法，其特征在于，对所述硅片进行清洗以去除所述硅片表面残留的抛光液之后，在清洗槽中通入双氧水或者臭氧以在所述硅片表面形成所述氧化膜。


5.如权利要求4所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述清洗工艺的溶液中双氧水的浓度为2％-5％。


6.如权利要求4所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述清洗工艺的溶液中臭氧的浓度为10PPM-30PPM。

【专利技术属性】
技术研发人员：胡文才，权林，张宇磊，季文明，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31