半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从第1部分区域向第1部件的方向沿着第1方向。从第3部分区域向第1部件的方向沿着第2方向。所述第1部件与第1部分区域电连接。第1部件与第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于第1绝缘部件的电阻率。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请以日本专利申请2020-018037(申请日为2020年2月5日)为基础，从该申请享受优先的权益。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
例如在晶体管等半导体装置中期望提高特性。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够提高特性的半导体装置。根据本专利技术的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域、第3半导体区域、第1部件以及第1绝缘部件。从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向。所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域，是第1导电类型。从所述第2部分区域向所述第1部分区域的第2方向与所述第1方向交叉。所述第2半导体区域是所述第1导电类型。所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体区域之间。所述第3半导体区域设置于所述第3部分区域与所述第2半导体区域之间，是第2导电类型。从所述第3半导体区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向。从所述第1部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第1方向。从所述第3部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第2方向。所述第1绝缘部件包括第1绝缘区域以及第2绝缘区域。所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1部件之间。所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3半导体区域与所述第3电极之间。所述第1部件与所述第1部分区域电连接。所述第1部件与所述第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接。所述第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于所述第1绝缘部件的电阻率。根据上述结构的半导体装置，可提供能够提高特性的半导体装置。附图说明图1是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图2是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图3是例示半导体装置的特性的图形。图4是例示半导体装置的特性的图形。图5是例示半导体装置的特性的图形。图6是例示半导体装置的特性的图形。图7是例示半导体装置的特性的图形。图8是例示半导体装置的特性的图形。图9是例示半导体装置的特性的图形。图10是例示半导体装置的特性的图形。图11是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图12是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图13是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图14是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图15是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图16是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图17是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图18是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图19是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图20是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图21是例示第2实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图22是例示第2实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。图23的(a)以及图23的(b)是例示实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意性剖面图。图24的(a)以及图24的(b)是例示实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意性剖面图。图25的(a)以及图25的(b)是例示实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意性剖面图。图26是例示实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的示意性剖面图。(符号说明)11～17：第1～第7半导体区域；11a～11d：第1～第4部分区域；11aC：第1对置部分区域；13B：边界；31：第1部件；31C：第1对置部件；31F：膜；31a、31b：第1、第2端；40：第1绝缘部件；40F：绝缘膜；41～44：第1～第4绝缘区域；41C：第1对置绝缘区域；48：第2绝缘部件；48C：第2对置绝缘部件；51～53：第1～第3电极；53C：第3对置电极；61、62：第1、第2导电部；61C、62C：第1、第2对置导电部；61L、62L：布线；61T：端子；61a、62b：第1、第2导电区域；61aC、62bC：第1、第2对置导电区域；110～116、119、120～124、130、131：半导体装置；BV：阻断电压；C1：浓度；EF：电场；I1、I2：电流分量；Id：漏极电流；Qoss：电荷量；R1：电阻率；RonA：导通电阻；pZ：位置；t41、t42：长度。具体实施方式以下，参照附图，说明本专利技术的各实施方式。附图是示意性或者概念性的图，各部分的厚度和宽度的关系、部分之间的大小的比例等未必与现实相同。另外，即使在表示相同的部分的情况下，也有时根据附图而相互的尺寸、比例被表示为不同。在本申请说明书和各图中，关于已经出现的图，对与上述同样的要素附加同一符号而适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性剖面图。如图1所示，实施方式所涉及的半导体装置110包括第1电极51、第2电极52、第3电极53、第1半导体区域11、第2半导体区域12、第3半导体区域13、第1部件31以及第1绝缘部件40。从第1电极51向第2电极52的方向沿着第1方向。将第1方向设为Z轴方向。将相对Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将相对Z轴方向以及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。第1半导体区域11包括第1部分区域11a、第2部分区域11b以及第3部分区域11c。从第2部分区域11b向第1部分区域11a的第2方向与第1方向(Z轴方向)交叉。第2方向例如是X轴方向。第1半导体区域11是第1导电类型。第2半导体区域12是第1导电类型。第1半导体区域11的第3部分区域11c在第1方向(Z轴方向)上处于第2部分区域11b与第2半导体区域12之间。第3半导体区域13在Z轴方向上设置于第3部分区域11c与第2半导体区域12之间。第3半导体区域13是第2导电类型。例如，第1导电类型是n型，第2导电类型是p型。也可以为第1导电类型是p型，第2导电类型是n型。以下，设为第1导电类型是n型且第2导电类型是p型。从第3半导体区域13向第3电极53的方向沿着第2方向(例如X轴方向)。例如，从第2半导体区域12的一部分向第3电极53的一部分的方向也可以沿着X轴方向。从第3部分区域11c的一部分向第3电极53的一部分的方向也可以沿着X轴方向。从第1部分区域11a向第1部件31的方向沿着第1方向(Z轴方向)。从第3部分区域11c向第1部件31的方向沿着第2方向(X轴方向)。第1绝缘部件40包括第1绝缘区域41以及第2绝缘区域42。第1绝缘区域41在第2方向(X轴方向)上处于第3部分区域11c与第1部件31之间。第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n第1电极；/n第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；/n第1导电类型的第1半导体区域，包括第1部分区域、第2部分区域及第3部分区域，从所述第2部分区域向所述第1部分区域的第2方向与所述第1方向交叉；/n所述第1导电类型的第2半导体区域，所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体区域之间；/n第2导电类型的第3半导体区域，设置于所述第3部分区域与所述第2半导体区域之间；/n第3电极，从所述第3半导体区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向；/n第1部件，从所述第1部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第1方向，从所述第3部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第2方向；以及/n第1绝缘部件，包括第1绝缘区域及第2绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1部件之间，所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3半导体区域与所述第3电极之间，/n所述第1部件与所述第1部分区域电连接，/n所述第1部件与所述第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接，/n所述第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于所述第1绝缘部件的电阻率。/n...

【技术特征摘要】
20200205 JP 2020-0180371.一种半导体装置，具备：
第1电极；
第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；
第1导电类型的第1半导体区域，包括第1部分区域、第2部分区域及第3部分区域，从所述第2部分区域向所述第1部分区域的第2方向与所述第1方向交叉；
所述第1导电类型的第2半导体区域，所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体区域之间；
第2导电类型的第3半导体区域，设置于所述第3部分区域与所述第2半导体区域之间；
第3电极，从所述第3半导体区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向；
第1部件，从所述第1部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第1方向，从所述第3部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第2方向；以及
第1绝缘部件，包括第1绝缘区域及第2绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1部件之间，所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3半导体区域与所述第3电极之间，
所述第1部件与所述第1部分区域电连接，
所述第1部件与所述第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接，
所述第1部件的电阻率高于所述第1部分区域的电阻率且低于所述第1绝缘部件的电阻率。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具备第1对置部件，
所述第3部分区域在所述第2方向上处于所述第1对置部件与所述第1部件之间，
所述第1绝缘部件还包括第1对置绝缘区域，所述第1对置绝缘区域在所述第2方向上处于所述第1对置部件与所述第3部分区域之间，
所述第1半导体区域还包括第1对置部分区域，所述第2部分区域在所述第2方向上处于所述第1对置部分区域与所述第1部分区域之间，
从所述第1对置部分区域向所述第1对置部件的方向沿着所述第1方向，
所述第1对置部件与所述第1对置部分区域电连接，
所述第1对置部件的电阻率高于所述第1部分区域的所述电阻率且低于所述第1绝缘部件的所述电阻率。


3.一种半导体装置，具备：
第1电极；
第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向；
第1导电类型的第1半导体区域，包括第1部分区域、第2部分区域及第3部分区域，从所述第2部分区域向所述第1部分区域的第2方向与所述第1方向交叉；
所述第1导电类型的第2半导体区域，所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第2半导体区域之间；
第2导电类型的第3半导体区域，设置于所述第3部分区域与所述第2半导体区域之间；
第3电极，从所述第3半导体区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向；
第1部件，从所述第1部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第1方向，从所述第3部分区域向所述第1部件的方向沿着所述第2方向；以及
第1绝缘部件，包括第1绝缘区域及第2绝缘区域，所述第1绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3部分区域与所述第1部件之间，所述第2绝缘区域在所述第2方向上处于所述第3半导体区域与所述第3电极之间，
所述第1部件与所述第1部分区域电连接，
所述第1部件与所述第2电极电连接或者能够与所述第2电极电连接，
所述第1部件包含从由第1材料、第2材料、第3材料、第4材料、第5材料以及第6材料构成的群选择的至少1种，
所述第1材料包含Si、N以及O，
所述第2材料包含Si-N的结合、N-O的结合以及N-N的结合，
所述第3材料包含Si-N的结合、N-H的结合以及N-N的结合，
所述第4材料包含Si、C以及第1元素，所述第1元素包含从由B以及N构成的群选择的至少1种，
所述第5材料包含Si、O以及第2元素，所述第2元素包含从由Fe、Au、N...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林勇介，雁木比吕，井口智明，下条亮平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP