NORD闪存器件结构及其制作方法技术

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种NORD闪存器件结构及其制作方法。其中结构包括栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏结构；栅极结构包括：选择栅结构，以及在选择栅结构两侧形成轴对称的第一分栅结构和第二分栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构均包括由层叠的浮栅结构和控制栅结构；选择栅结构的下端延伸至基底层中。其中方法包括提供基底层；在基底层上形成浮栅层和控制栅层；定义出第一分栅区、第二分栅区和选择栅区；进行分栅刻蚀，由上至下依次刻蚀去除选择栅区位置处的控制栅层、浮栅层和部分基底层，形成选择栅沉积槽；选择栅沉积槽的下端，从选择栅区位置处的基底层上表面向下延伸；在选择栅沉积槽中制作形成选择栅结构。

【技术实现步骤摘要】
NORD闪存器件结构及其制作方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种NORD闪存器件结构及其制作方法。
技术介绍
浮栅型NORD闪存器由于其有利于节省芯片面积，提高存储集成密度，被广泛应用于各种嵌入式电子产品如金融IC卡、汽车电子等领域中。图1示出了相关技术中的NORD闪存器剖面结构示意图，参照图1该NORD闪存器包括衬底层11，该闪存元胞的衬底层11上形成有栅极结构，该栅极结构包括选择栅结构16、第一分栅和第二分栅，该第一分栅和第二分栅之间由选择栅结构10间隔，该第一分栅和第二分栅均包括由下至上依次层叠的浮栅介质层12、浮栅多晶硅层13、多晶硅间介质层14和控制栅多晶硅层15。第一分栅和第二分栅的周围被侧墙16包裹，第一分栅和第二分栅的外侧分别形成源漏注入区17。但是，随着器件尺寸的不断减小，控制栅至浮栅的耦合系数逐渐下降，选择栅至浮栅的耦合系数逐渐增大，该种耦合特性的变化使得栅极对器件的开关控制能力变差，对器件的性能产生不利影响。
技术实现思路
为了增强微缩后的闪存器件，其栅极的开关控制能力，本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NORD闪存器件结构，其特征在于，所述NORD闪存器件结构形成于基底层的有源区上，包括：栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏结构；/n所述栅极结构包括：位于中间的选择栅结构，以及在所述选择栅结构两侧形成轴对称的第一分栅结构和第二分栅结构；/n所述第一分栅结构和第二分栅结构均包括由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；/n所述选择栅结构的下端延伸至所述基底层中。/n

【技术特征摘要】
1.一种NORD闪存器件结构，其特征在于，所述NORD闪存器件结构形成于基底层的有源区上，包括：栅极结构和位于所述栅极结构两侧的源漏结构；
所述栅极结构包括：位于中间的选择栅结构，以及在所述选择栅结构两侧形成轴对称的第一分栅结构和第二分栅结构；
所述第一分栅结构和第二分栅结构均包括由下至上依次层叠的浮栅结构和控制栅结构；
所述选择栅结构的下端延伸至所述基底层中。


2.如权利要求1所述的NORD闪存器件结构，其特征在于，所述选择栅结构的下端，从所述基底层的上表面向下延伸深度为30nm至80nm。


3.一种NORD闪存器件制作方法，其特征在于，所述NORD闪存器件制作方法包括：
提供基底层，所述基底层包括有源区，所述有源区包括栅区和位于所述栅区两侧的源漏区，所述栅区包括位于中间的选择栅区，以及位于所述选择栅区两侧的第一分栅区和第二分栅区；
在所述基底层上形成由下至上依次层叠的浮栅层和控制栅层；
定义出第一分栅区、第二分栅区和选择栅区；
进行分栅刻蚀，由上至下依次刻蚀去除所述选择栅区位置处的控制栅层、浮栅层和部分基底层，形成选择栅沉积槽；所述选择栅沉积槽的下端，从所述选择栅区位置处的基底层上表面向下延伸；
在所述选择栅沉积槽中制作形成选择栅结构。


4.如权利要求3所述的NORD闪存器件制作方法，其特征在于，所述浮栅层包括浮栅介质层和浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层层叠在所述浮栅介质层上；
所述控制栅层包括多晶硅间介质层和控制栅多晶硅层。


5.如权利要求4所述的NORD闪存器件制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄云龙，熊伟，张剑，徐然，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32