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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种NORD闪存器件结构及其制作方法。其中结构包括栅极结构和位于栅极结构两侧的源漏结构；栅极结构包括：选择栅结构，以及在选择栅结构两侧形成轴对称的第一分栅结构和第二分栅结构；第一分栅结构和第二分栅结构均...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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