闪存存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存存储器的制造方法，在刻蚀栅堆叠层之前，利用图形化的光刻胶层覆盖形成于冗余区上的冗余结构，并延伸覆盖与所述冗余区相邻的外围区，如此，后续对所述栅堆叠层进行刻蚀时，不会刻蚀到所述冗余结构与所述外围区之间的所述堆叠刻蚀，使得所述冗余区与所述外围区邻近之边缘处不会有刻蚀残留物，从而可避免出现刻蚀残留物剥落至存储区，使得闪存存储器的数据保持能力得以提高。

【技术实现步骤摘要】
闪存存储器的制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种闪存存储器的制造方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，存储器在集成电路产品中占了相当大的比例，特别的，存储器中的闪存存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。参考图1～4，其为利用现有的闪存存储器的制造方法形成的结构示意图。闪存存储器的制造方法包括：步骤一，如图1所示，提供半导体衬底10，所述半导体衬底10上形成有栅堆叠层14和冗余结构15；其中，所述半导体衬底10包括存储区11、外围区13以及形成于所述存储区11与所述外围区13之间的冗余区12。所述冗余结构15形成于所述冗余区12上并贯穿所述栅堆叠层14，所述冗余结构15在后续的化学机械研磨中可以起到支撑的作用。进一步的，所述冗余结构15包括形成于所述冗余区12上的侧墙层151和多晶硅层152，所述侧墙层151覆盖所述冗余区12上的部分所述栅堆叠层14，所述多晶硅层152贯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、外围区和形成于所述存储区与所述外围区之间的冗余区；/n在所述半导体衬底上形成自下而上依次堆叠的栅堆叠层和掩膜层；/n在所述冗余区的上方形成依次贯穿所述掩膜层和所述栅堆叠层的冗余结构；/n去除所述掩膜层以暴露出所述栅堆叠层，以及去除所述外围区上的所述栅堆叠层以暴露出所述外围区；/n形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述冗余结构，并延伸覆盖所述外围区；以及，/n以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅堆叠层，以分断所述存储区与所述冗余区上的所述栅堆叠层。/n

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区、外围区和形成于所述存储区与所述外围区之间的冗余区；
在所述半导体衬底上形成自下而上依次堆叠的栅堆叠层和掩膜层；
在所述冗余区的上方形成依次贯穿所述掩膜层和所述栅堆叠层的冗余结构；
去除所述掩膜层以暴露出所述栅堆叠层，以及去除所述外围区上的所述栅堆叠层以暴露出所述外围区；
形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述冗余结构，并延伸覆盖所述外围区；以及，
以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅堆叠层，以分断所述存储区与所述冗余区上的所述栅堆叠层。


2.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述冗余结构包括侧墙和字线，所述字线依次贯穿所述掩膜层和所述栅堆叠层，所述侧墙位于所述掩膜层内，且形成于所述字线的外围。


3.如权利要求2所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述冗余结构的形成方法包括：
在所述掩膜层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述冗余区上的部分所述栅堆叠层；
形成侧墙，所述侧墙覆盖所述第一开口的侧壁；
以所述掩膜层和所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一开口中暴露出的所述栅堆叠层以形成第二开口；
形成遂穿氧化层，所述遂穿氧化层覆盖所述第二开口的底部和侧壁，并延伸覆盖所述侧墙；
形成字线，所述字线覆盖所述遂穿氧化层，并填充所述第二开口及所述第一开口，并且所述字线的顶面与所述侧墙的顶面平齐。


4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31