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本发明提供一种闪存存储器的制造方法，在刻蚀栅堆叠层之前，利用图形化的光刻胶层覆盖形成于冗余区上的冗余结构，并延伸覆盖与所述冗余区相邻的外围区，如此，后续对所述栅堆叠层进行刻蚀时，不会刻蚀到所述冗余结构与所述外围区之间的所述堆叠刻蚀，使得所述...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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