存储器件的制作方法技术

本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在存储单元区域和逻辑区域依次形成第三隔离层和第四隔离层；在第四隔离层表面形成第一BARC；对第一BARC进行去除处理，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC；在第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在逻辑区域形成逻辑器件的栅极。本申请通过在晶圆上形成第一BARC后，对第一BARC进行去除，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC，从而在继续形成第二BARC后，降低了字线的高度在后续刻蚀中的高度差对刻蚀的影响。

【技术实现步骤摘要】
存储器件的制作方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种存储器件的制作方法。
技术介绍
采用非易失性存储(non-volatilememory，NVM)技术的存储器目前被广泛应用于智能手机、平板电脑、数码相机、通用串行总线闪存盘(universalserialbusflashdisk，USB闪存盘，简称“U盘”)等具有存储功能的电子产品中。NVM存储器中，NORD闪存(flash)具有传输效率高，在1MB至4MB的容量时成本较低的特点，其通常包括在衬底上形成的存储单元(flashcell)和位于存储单元外围的逻辑器件。相关技术中，在存储器件(例如NORD闪存器件)的制作过程中，由于存储单元区域内字线(wordline，WL)高于周围的区域，导致应位于字线顶部的光阻大量积聚在沟槽处，在后续逻辑器件的栅极的刻蚀过程中，由于字线顶部光阻层较其它区域的厚度低，导致字线顶部的氧化物被大量刻蚀，从而在存储单元的刻蚀成型过程中因字线顶部氧化物厚度较薄，导致字线多晶硅被刻蚀，其表面产生大量缺陷，降低了产品的可靠性。r>专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和逻辑区域，所述存储单元区域的衬底形成有栅氧层，所述栅氧层上形成有字线，所述字线两侧的栅氧层上依次形成有浮栅多晶硅层、第一隔离层和控制栅多晶硅层，所述字线高于所述浮栅多晶硅层，所述字线表面，所述字线和所述控制栅多晶硅层、所述浮栅多晶硅层之间形成有第二隔离层，所述逻辑区域的衬底上依次形成有栅氧层、多晶硅层和第二隔离层，所述多晶硅层高于所述浮栅多晶硅层；/n依次形成第三隔离层和第四隔离层；/n在所述第四隔离层表面形成第一BARC；/n对所述第一BARC进行去除处理，使所述存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和所...

【技术特征摘要】
1.一种存储器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括存储单元区域和逻辑区域，所述存储单元区域的衬底形成有栅氧层，所述栅氧层上形成有字线，所述字线两侧的栅氧层上依次形成有浮栅多晶硅层、第一隔离层和控制栅多晶硅层，所述字线高于所述浮栅多晶硅层，所述字线表面，所述字线和所述控制栅多晶硅层、所述浮栅多晶硅层之间形成有第二隔离层，所述逻辑区域的衬底上依次形成有栅氧层、多晶硅层和第二隔离层，所述多晶硅层高于所述浮栅多晶硅层；
依次形成第三隔离层和第四隔离层；
在所述第四隔离层表面形成第一BARC；
对所述第一BARC进行去除处理，使所述存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和所述逻辑区域之间的沟槽保留所述第一BARC；
在所述第四隔离层和剩余的第一BARC表面形成第二BARC；
分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，在所述存储单元区域形成存储器件的浮栅和控制栅，在所述逻辑区域形成逻辑器件的栅极。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别对存储单元区域和逻辑区域进行刻蚀，包括：
进行第一次刻蚀，去除所述第一BARC、所述第二BARC，所述控制栅多晶硅层上的第四隔离层，以及所述逻辑区域中目标区域的栅氧层、多晶硅层、第三隔离层和第四隔离层，使所述目标区域的衬底暴露，剩余的多晶硅层形成所述栅极；
进行第二次刻蚀，去除剩余的第三隔离层和第四隔离层；
进行第三次刻蚀，去除所述存储区域中目标区域的栅氧层、控制栅多晶硅层、第一隔离层、浮栅多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王进峰，张剑，熊伟，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32