【技术实现步骤摘要】
存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法
本文中所公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。
技术介绍
存储器是一种集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造于个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可沿着阵列的各列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的各行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保留时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成在至少两个不同的可选择状态下保留或存储存储内容。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可被配置成存储多于两个位
【技术保护点】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：/n形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，其中具有沟道材料串；/n穿过所述沟道材料串正上方的绝缘材料形成导电通孔，所述导电通孔中的个别导电通孔直接电耦合到所述沟道材料串中的个别沟道材料串；/n在形成所述导电通孔之后，在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区域；以及/n使居间材料在所述沟槽中形成为横向处于横向紧邻的存储器块区域之间且在纵向上沿着所述横向紧邻的存储器块区域。/n
【技术特征摘要】
20200115 US 16/743,3291.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，其中具有沟道材料串；
穿过所述沟道材料串正上方的绝缘材料形成导电通孔，所述导电通孔中的个别导电通孔直接电耦合到所述沟道材料串中的个别沟道材料串；
在形成所述导电通孔之后，在所述堆叠中形成水平拉长的沟槽以形成横向间隔开的存储器块区域；以及
使居间材料在所述沟槽中形成为横向处于横向紧邻的存储器块区域之间且在纵向上沿着所述横向紧邻的存储器块区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其包括在阵列穿通孔TAV开口中形成TAV，所述导电通孔形成于导电通孔开口中，且所述方法另外包括：
同时分别在所述导电通孔开口和所述TAV开口中形成所述TAV和所述导电通孔的导电材料。
3.根据权利要求2所述的方法，其包括在不同时间形成所述TAV开口和所述导电通孔开口。
4.根据权利要求3所述的方法，其包括在形成所述导电通孔开口之前形成所述TAV开口。
5.根据权利要求3所述的方法，其包括在形成所述导电通孔开口之后形成所述TAV开口。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电通孔为第一导电通孔并且所述方法另外包括形成第二导电通孔，所述第二导电通孔在所述第一导电通孔中的个别第一导电通孔正上方且个别地直接电耦合到所述第一导电通孔中的个别第一导电通孔。
7.根据权利要求1所述的方法，其包括：
使所述居间材料形成为从所述交替的第一层和第二层的最上部向上延伸到所述存储器块区域之间的所述居间材料的相应顶部表面；
使所述导电通孔形成为具有相应顶部表面；以及
相应居间材料顶部表面的至少一部分与相应导电通孔顶部表面的至少一部分竖向重合。
8.根据权利要求1所述的方法，其包括：
使所述堆叠中的阵列穿通孔TAV形成为具有相应顶部表面；
使所述导电通孔形成为具有相应顶部表面；以及
所述相应导电通孔顶部表面的至少一部分与相应TAV顶部表面的至少一部分竖向重合。
9.根据权利要求1所述的方法，其包括：
使所述居间材料形成为从所述交替的第一层和第二层的最上部向上延伸到所述存储器块区域之间的所述居间材料的相应顶部表面；
使所述导电通孔形成为具有相应顶部表面；
使所述堆叠中的阵列穿通孔TAV形成为具有相应顶部表面；以及
所述相应居间材料顶部表面的至少一部分与所述相应导电通孔顶部表面的至少一部分和所述相应TAV顶部表面的至少一部分竖向重合。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层包括牺牲材料，且所述方法另外包括：
穿过所述沟槽，将所述第一层中的所述牺牲材料各向同性地蚀刻掉且替换为个别导电线的传导材料；和
在所述蚀刻之后在所述沟槽中形成所述居间材料。
11.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述居间材料之后，在所述存储器块区域中的个别存储器块区域中所述堆叠的顶部部分中形成至少一个水平拉长的隔离结构，所述隔离结构在所述个别存储器块区域中所述堆叠的所述顶部部分中形成横向间隔开的选择栅极。
12.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·N·贾殷，罗双强，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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