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本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括：形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，其中具有沟道材料串。导电通孔穿过所述沟道材料串正上方的绝缘材料形成。所述导电通孔中的个别导电通孔直接...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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