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本申请公开了一种存储器件的制作方法，包括：在存储单元区域和逻辑区域依次形成第三隔离层和第四隔离层；在第四隔离层表面形成第一BARC；对第一BARC进行去除处理，使存储单元区域的字线之间的沟槽，以及字线和逻辑区域之间的沟槽保留第一BARC；在...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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