一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘制造技术

本发明专利技术公开了一种用于半导体晶片无蜡抛光的整体式抛光陶瓷载盘。它具有盘体、位于盘体上的凹槽，所述的凹槽与盘体为一体式，凹槽顶部与盘体平齐，且凹槽分布于盘体上端四周呈旋转对称形，所述凹槽用于承载半导体晶片。本发明专利技术解决了半导体晶片抛光过程中温度较低移除率无法加快的问题，同时保证了晶片在加工过程中不会发生滑动和抖动，保证晶片的加工质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
本专利技术涉及晶体生长加工
，具体地涉及一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘。
技术介绍
为了保证半导体晶片加工后的TTV（TotalThicknessVariation，衬底整片厚度差）和表面粗糙度合规，在半导体晶片抛光前需要先对晶片进行贴蜡固定。由于蜡的软化温度大约是40℃，限制了半导体晶片在或抛光时的温度不能超过40℃，否则抛光过程中会造成滑蜡，晶片脱落导致破片，然而，温度越高，抛光过程中的化学反应速度越快，由于蜡的存在限制了半导体晶片的抛光过程中温度不能超过40℃，抛光过程中化学作用不足，导致移除率无法加快。
技术实现思路
鉴于上述半导体晶片加工过程中出现的问题，本专利技术提供了一种半导体晶片的抛光方法，其在抛光过程中使用本专利技术所提供的用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘进行作业，解决了半导体晶片抛光过程中温度较低移除率无法加快的问题，同时保证了晶片在加工过程中不会发生滑动和抖动，保证晶片的加工质量。为了实现上述目的，本专利技术一方面提供了一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其结构包括：盘体、位于盘体上的凹槽，其特征在于，所述凹槽与盘体为一体式，凹槽顶部与盘体平齐，且凹槽分布于盘体上端四周呈旋转对称形，所述凹槽用于承载半导体晶片。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其结构包括：盘体、位于盘体上的凹槽，其特征在于，所述凹槽与盘体为一体式，凹槽顶部与盘体平齐，且凹槽分布于盘体上端四周呈旋转对称形，所述凹槽用于承载半导体晶片。


2.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其特征在于，所述凹槽包括圆弧部和平边部，圆弧部和平边部配合围成所述凹槽。


3.据权利要求2所述的一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其特征在于，所述凹槽的平边部统一面向或者背向所述载盘的中心。


4.根据权利要求1所述的一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其特征在于，所述凹槽的直径比所述半导体晶片的直径大1mm，所述凹槽的深度为所述半导体晶片厚度的1/2~3/4。


5.根据权利要求2所述的一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其特征在于，所述凹槽的平边部长度比所述半导体晶片的平边长度小...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞评，曾柏翔，张佳浩，杨良，陈铭欣，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35