【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装(一)
本专利技术涉及半导体材料加工
,具体为一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装。(二)
技术介绍
随着技术工艺的不断发展,LED芯片不断向高密度、高性能、小型化和轻薄化发展。其中,器件的薄片化已成为功率器件和光伏器件的重点发展方向之一。一方面,薄片可以降低器件的导通电阻和压降,从而大幅度减少器件的导通损耗,提升器件在散热方面的性能,防止LED芯片有源区过高的温升对其光输出特性和寿命产生影响;另一方面,为满足LED芯片工艺制程中划片、裂片等后继工艺的要求,同样需要将芯片衬底厚度减薄至一定程度;再一方面,薄片利于减少器件封装的空间,实现整个封装模块的小型化和轻薄化。因此,在LED芯片制备工艺中,芯片衬底厚度减薄是非常重要的工艺制程。现有技术中主要采用研磨机对芯片衬底进行机械研磨,即在芯片衬底研磨减薄时,将芯片正面贴附在陶瓷盘(一种芯片减薄用贴片工件)上,芯片衬底通过设备机械臂与研磨盘相接触相互挤压的摩擦力进行研磨减薄作业。研磨后的砷化镓衬底总会存在一定的损伤层,如 ...
【技术保护点】
1.一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的工装,其特征在于:包括上板(1)和下板(2),所述上板(1)和下板(2)通过固定栓(3)连接;所述上板(1)一侧设有手柄(5)。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的工装,其特征在于:包括上板(1)和下板(2),所述上板(1)和下板(2)通过固定栓(3)连接;所述上板(1)一侧设有手柄(5)。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的工装,其特征在于:所述下板(2)的内侧面上设有用于固定陶瓷盘(7)的固定槽(4),所述固定槽(4)与陶瓷盘(7)的周向接触面截面形状为一优弧。
3.根据权利要求2所述的一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的工装,其特征在于:所述上板(1)和下板(2)上均设有若干的板孔(6)。
4.一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法,其特征在于:包括以下步骤:
a、贴片:将陶瓷盘(7)进行加热,将蜡涂抹在变热后的陶瓷盘(7)表面上,然后将待研磨的芯片(8)的正面通过蜡粘附在陶瓷盘(7)上;
b、压片:将贴有芯片(8)的陶瓷盘(7)置于压片机下进行压片;
c、研磨:将陶瓷盘(7)吸附在研磨机机械臂的吸盘上进行芯片(8)衬底的研磨;
d、涮洗:将研磨后的芯片(8)进行涮洗;
e、抛光:将带芯片(8)的陶瓷盘(7)放在权利要求1-3任一所述的工装的固定槽(4)内,且陶瓷盘(7)带芯片(8)的一面朝上,用工装将陶瓷盘(7)没入抛光试剂中进行腐蚀抛光;
技术研发人员:郑军,李琳琳,齐国健,闫宝华,王成新,
申请(专利权)人:山东浪潮华光光电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。