半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一界面层、设置在第一界面层上方的第一栅极介电层，以及设置在第一栅极介电层上方的第一栅电极。半导体器件还包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二界面层、设置在第二界面层上方的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上方的第二栅电极。第一界面层包含与第二界面层不同量的偶极材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。在IC发展的过程中，功能密度(即，每个芯片区域的互连器件的数量)通常增加了，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减小了。这种按比例缩小的过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。例如，可以通过增加栅电极的不同功函数金属的厚度来调整常规器件中的阈值电压。然而，随着器件缩小工艺的继续，增加不同功函数金属的厚度可能变得不可行和/或可能导致各种制造困难。因此，尽管常规的调节阈值电压的方法通常已经足够了，但是它们并不是在所有方面都令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；界面层，形成在衬底上方，其中，界面层具有偶极穿透部分；栅极介电层，形成在界面层上方；以及金属栅电极，形成在栅极介电层上方。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n界面层，形成在所述衬底上方，其中，所述界面层具有偶极穿透部分；/n栅极介电层，形成在所述界面层上方；以及/n金属栅电极，形成在所述栅极介电层上方。/n

【技术特征摘要】
20200131 US 62/968,482;20200710 US 16/925,8931.一种半导体器件，包括：
衬底；
界面层，形成在所述衬底上方，其中，所述界面层具有偶极穿透部分；
栅极介电层，形成在所述界面层上方；以及
金属栅电极，形成在所述栅极介电层上方。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，随着与所述偶极穿透部分的上表面的距离的增大，所述偶极穿透部分内的偶极材料的最大浓度降低。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极介电层的底部包含从所述界面层扩散的偶极材料。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述金属栅电极包括功函数金属组件和形成在所述功函数金属组件上方的填充金属组件；以及
所述功函数金属组件包括夹在第一保护层和第二保护层之间的功函数金属层。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述功函数金属层包括TiAlC，并且其中，所述第一保护层和所述第二保护层均包括TiN。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括FinFET器件或全环栅器件。


7.一种半导体器件，包括：
第一栅极结构，包括第一界面层、设置在所述第一界面层上方的第一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦羽，程仲良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71