动态随机存取存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种动态随机存取存储器，包括衬底、晶体管和电容器；所述晶体管设置于所述衬底的上表面；所述电容器设置于所述衬底内部且与所述晶体管电接触，所述电容器包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的朝向方向不同且相连通构成所述电容器的三维骨架，使得可以显著增大电容器的表面积，有利于提升动态随机存取存储器的电容值，减少电容器的刻蚀深度，克服了传统的深槽式电容器刻蚀深度要求很深，存在高深宽比的刻蚀要求和刻蚀速率递减效应的工艺难点，而且使得可以适当增加所述绝缘介质的厚度，从而可以降低漏电流，增加电荷保持时间和减少刷新频率。本发明专利技术还提供了一种动态随机存取存储器的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其制备方法
本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其制备方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)是一种常见的随机存取存储器，DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失，由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。目前，业界普遍采用一个晶体管搭配一个电容器的结构作为一个DRAM单元。这种1T1C元件组合使DRAM的存储位元成为了密度最高、单位制造成本最低的电子元件，在计算机存取器件中具有不可替代的地位。随着半导体技术的飞速发展，DRAM元件正快速地向高密度、高质量的方向发展。如何能在单元元件面积不断减小的同时，设计出电容值相当的电容器是DRMA技术中最重要的挑战之一。其中一种方案是采用深槽式电容器，这种电容器采用了三维设计，以刻蚀的方式在DRAM晶体管的源端表面正下方挖掘深槽形成电容器，从而在有限的单元平面面积内利用纵深结构增加电容器面积。这种深槽式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：/n衬底；/n晶体管，设置于所述衬底的上表面；/n电容器，设置于所述衬底内部且与所述晶体管电接触，所述电容器包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的朝向方向不同且相连通构成所述电容器的三维骨架。/n

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：
衬底；
晶体管，设置于所述衬底的上表面；
电容器，设置于所述衬底内部且与所述晶体管电接触，所述电容器包括第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的朝向方向不同且相连通构成所述电容器的三维骨架。


2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽垂直设置。


3.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述电容器包括下极板、绝缘介质和上极板，所述上极板除位于所述衬底的上表面一端的表面外的其他表面均与所述绝缘介质的一表面抵接，所述绝缘介质的另一对称表面与所述下极板的一表面抵接，所述下极板的另一对称表面与所述三维骨架的表面抵接。


4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述下极板和所述上极板的组成材料均为金属或金属化合物，构成所述上极板的组成材料与构成所述下极板的组成材料相同或不同。


5.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述晶体管包括栅介质层、栅极、栅极侧墙、漏极和源极，所述栅介质层设置于所述衬底的上表面，所述栅极覆盖于所述盖栅介质层的上表面，所述栅极侧墙设置于所述衬底的上表面且位于所述栅介质层和所述栅极的两侧，所述漏极和所述源极设置于所述衬底内且分别与两侧的所述栅极侧墙抵接，所述源极与所述下极板电接触。


6.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一沟槽与所述源极远离所述栅介质层的一侧壁抵接，所述第二沟槽设置于所述晶体管的下方。


7.根据权利要求5所述的动态随机存取存储器，其特征在于，所述衬底具有第一导电类型，所述漏极和所述源极具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。


8.一种如权利要求1-7中任意一项所述的动态随机存取存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S0：提供所述衬底；
S1：在所述衬底的内部形成所述第一沟槽和所述第二沟槽，使所述第一沟槽和所述第二沟槽的朝向方向不同且相连通构成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，朱宝，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31