存储器件制造技术

存储单元包括：位线和板线，所述位线和所述板线彼此间隔开并且沿第一方向垂直定向；晶体管，其设置有有源区，所述有源区沿第二方向横向定向为与位线交叉，并且包括第一有源圆柱体、第二有源圆柱体以及至少一个沟道部，所述至少一个沟道部横向定向在第一有源圆柱体与第二有源圆柱体之间；字线，其在围绕有源区的至少一个沟道部的同时沿第三方向延伸；以及电容器，其沿第二方向横向定向在有源区与板线之间。

【技术实现步骤摘要】
存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2020年1月31日提交的申请号为10-2020-0012086的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于本文中。
本专利技术的各种实施例总体而言涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种具有提高的集成密度的三维半导体器件。
技术介绍
由于二维(2D)或平面半导体器件的集成密度主要由单位存储单元占据的面积确定，因此集成密度在很大程度上受到精细图案形成技术水平的影响。图案的小型化需要非常昂贵的设备。因此，尽管2D半导体器件的集成密度不断增加，但是集成密度的增加程度受到限制。为了克服2D半导体器件的这些限制，已经提出了具有以三维布置的存储单元的三维(3D)存储器件。
技术实现思路
本专利技术的实施例针对具有提高的集成密度的3D存储器件。根据本专利技术的一个实施例，一种存储单元包括：位线和板线，所述位线和板线彼此间隔开并且沿第一方向垂直定向；晶体管，其设置有有源区，所述有源区沿第二方向横向定向为与所述位线交叉，并且包括第一有源圆柱体、第二有源圆柱体以及至少一个沟道部，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，其包括：/n位线和板线，所述位线和所述板线彼此间隔开并且沿第一方向垂直定向；/n晶体管，所述晶体管设置有有源区，所述有源区沿第二方向横向定向以与所述位线交叉，并且包括第一有源圆柱体、第二有源圆柱体以及至少一个沟道部，所述至少一个沟道部横向定向在所述第一有源圆柱体与所述第二有源圆柱体之间；/n字线，所述字线在围绕所述有源区的至少一个沟道部的同时沿第三方向延伸；以及/n电容器，所述电容器沿所述第二方向横向定向在所述有源区与所述板线之间。/n

【技术特征摘要】
20200131 KR 10-2020-00120861.一种存储单元，其包括：
位线和板线，所述位线和所述板线彼此间隔开并且沿第一方向垂直定向；
晶体管，所述晶体管设置有有源区，所述有源区沿第二方向横向定向以与所述位线交叉，并且包括第一有源圆柱体、第二有源圆柱体以及至少一个沟道部，所述至少一个沟道部横向定向在所述第一有源圆柱体与所述第二有源圆柱体之间；
字线，所述字线在围绕所述有源区的至少一个沟道部的同时沿第三方向延伸；以及
电容器，所述电容器沿所述第二方向横向定向在所述有源区与所述板线之间。


2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一有源圆柱体、所述第二有源圆柱体和所述至少一个沟道部沿所述第二方向以横向布置定位。


3.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述字线包括：
包围栅电极，所述包围栅电极围绕所述至少一个沟道部；
第一掩埋栅电极，所述第一掩埋栅电极从所述包围栅电极的一侧延伸并且掩埋在所述第一有源圆柱体中；以及
第二掩埋栅电极，所述第二掩埋栅电极从所述包围栅电极的另一侧延伸并且掩埋在所述第二有源圆柱体中。


4.根据权利要求3所述的存储单元，其中，所述有源区包括掩埋沟道，所述掩埋沟道由所述第一掩埋栅电极和所述第二掩埋栅电极限定。


5.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：
垂直源极区，所述垂直源极区在所述电容器与所述第一有源圆柱体之间；以及
垂直漏极区，所述垂直漏极区在所述第二有源圆柱体与所述位线之间。


6.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：
栅极电介质层，所述栅极电介质层形成在所述字线与所述有源区之间。


7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述电容器包括：
圆柱形的储存节点，所述储存节点耦接至所述有源区的所述第一有源圆柱体；
极板节点，所述极板节点耦接至所述板线；以及
电介质材料，所述电介质材料在所述储存节点与所述极板节点之间，
其中，所述储存节点、所述电介质材料和所述极板节点沿所述第二方向以横向布置定位。


8.根据权利要求7所述的存储单元，其中，所述极板节点包括：
内部节点，所述内部节点从所述板线横向定向并且延伸入所述储存节点中；以及
多个外部节点，所述外部节点从所述板线横向定向并且围绕所述储存节点。


9.根据权利要求8所述的存储单元，其中，所述外部节点包括：
第一外部节点和第二外部节点，所述第一外部节点和所述第二外部节点沿所述第一方向定位于所述储存节点之上；以及
第三外部节点和第四外部节点，所述第三外部节点和所述第四外部节点沿所述第三方向定位于所述储存节点之上，
其中，所述第一外部节点和所述第二外部节点的横向长度比所述第三外部节点和所述第四外部节点的横向长度短。


10.根据权利要求9所述的存储单元，其中，
所述第一外部节点的横向长度与所述第二外部节点的横向长度相同，并且
所述第三外部节点的横向长度与所述第四外部节点的横向长度相同。


11.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一有源圆柱体和所述第二有源圆柱体定位于相同的水平处，并且具有圆柱形状，所述圆柱形状沿所述第二方向横向定向为彼此相对。


12.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一有源圆柱体沿所述第二方向的横向长度不同于所述第二有源圆柱体沿所述第二方向的横向长度。


13.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述至少一个沟道部包括：
边缘，所述边缘接触所述第一有源圆柱体和所述第二有源圆柱体，以及
沟道主体，所述沟道主体在所述边缘之间，
其中，所述沟道主体与所述边缘之间的接触表面小于所述第一有源圆柱体和所述第二有源圆柱体与所述边缘之间的接触表面。


14.根据权利要求13所述的存储单元，其中，所述至少一个沟道部的厚度从所述边缘朝向所述沟道主体逐渐减小。


15.根据权利要求1所述的存储单元，
其中，所述第一有源圆柱体包括横向定向的第一凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：李起洪，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR