半导体元件的制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基底，在该基底上形成一浮动栅极材料层，进行一平坦化步骤，降低该浮动栅极材料层的一厚度，在该平坦化步骤进行后，对该浮动栅极材料层进行一离子掺杂步骤，以及进行一蚀刻步骤，移除部分该浮动栅极材料层，并形成一浮动栅极(floating gate)，其中在该浮动栅极材料层形成之后至该浮动栅极形成之前，并未对该浮动栅极材料层进行任何退火(anneal)步骤。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制作方法
本专利技术涉及一种制造半导体元件的方法，更具体地说，涉及一种制造闪存存储器的方法。
技术介绍
闪存存储器(flashmemory)是一种非挥发性存储器，即使外部电源关闭，它也可以在存储器中保存数据。近来，因为闪存存储器是可重写和可抹除的，所以它们已经广泛应用于电子产品的制造，例如移动电话、数字相机、视频播放机、个人数字助理(PDA)或片上系统(SOC)。为了满足电子产品的低功耗、快速回应、低成本和高集成度的要求，集成具有各种电气性能和功能的不同半导体元件的工艺是当前半导体工艺的趋势。例如，闪存存储器阵列区域中的闪存存储器单元和逻辑电路区域中的金属氧化物半导体晶体管可以在同一芯片中制造。然而，在制作闪存存储器元件中的浮动栅极(floatinggate)时，其步骤至少依序包含沉积材料层(例如多晶硅)、对材料层进行离子掺杂、对材料层进行退火(anneal)以使得所掺杂的离子扩散至整整材料层内部、然后才对材料层进行平坦化步骤(例如化学机械研磨，CMP)，让材料层的厚度降低到所需厚度。上述制作工艺为目前制作浮动栅极时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体元件的制作方法，包含：/n提供基底；/n在该基底上形成浮动栅极材料层；/n进行平坦化步骤，降低该浮动栅极材料层的厚度；/n在该平坦化步骤进行后，对该浮动栅极材料层进行离子掺杂步骤；以及/n进行蚀刻步骤，移除部分该浮动栅极材料层，并形成浮动栅极(floating gate)，其中在该浮动栅极材料层形成之后至该浮动栅极形成之前，并未对该浮动栅极材料层进行任何退火(anneal)步骤。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制作方法，包含：
提供基底；
在该基底上形成浮动栅极材料层；
进行平坦化步骤，降低该浮动栅极材料层的厚度；
在该平坦化步骤进行后，对该浮动栅极材料层进行离子掺杂步骤；以及
进行蚀刻步骤，移除部分该浮动栅极材料层，并形成浮动栅极(floatinggate)，其中在该浮动栅极材料层形成之后至该浮动栅极形成之前，并未对该浮动栅极材料层进行任何退火(anneal)步骤。


2.如权利要求1所述的制作方法，其中在该平坦化步骤之前，该浮动栅极材料层的一厚度大于4000埃。


3.如权利要求1所述的制作方法，其中在该平坦化步骤之后，该浮动栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱云松，邵红旭，孔德锦，欧阳锦坚，谈文毅，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35