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本发明公开一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基底，在该基底上形成一浮动栅极材料层，进行一平坦化步骤，降低该浮动栅极材料层的一厚度，在该平坦化步骤进行后，对该浮动栅极材料层进行一离子掺杂步骤，以及进行一蚀刻步骤，移除部分该浮动栅极材料层，...
该专利属于联芯集成电路制造(厦门)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造(厦门)有限公司授权不得商用。

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