一种热处理装置及涂布机制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，公开了一种热处理装置及涂布机。该热处理装置包括：用于涂布光刻胶的喷嘴，所述喷嘴上设有第一温控部，所述第一温控部用于控制喷嘴的温度；电机，所述电机上设有第二温控部，所述第二温控部用于控制电机的温度；温度控制器，所述温度控制器、所述第一温控部及所述第二温控部经管路串接形成循环回路，所述温度控制器用于控制所述循环回路中循环液的温度。热处理装置及涂布机保证了光刻胶喷嘴部位与电机部位的温度保持一致，避免因光刻胶喷嘴部位和电机部位的温度不同而导致光刻胶薄层凹凸不平。

【技术实现步骤摘要】
一种热处理装置及涂布机
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种热处理装置及涂布机。
技术介绍
半导体制造工艺中，光刻工艺一直被认为是集成电路制造中关键的步骤，在整个工艺过程中需要被多次使用，其稳定性及可靠性对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻工艺是一个复杂的过程，其本质是把电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上：首先利用光刻胶涂布系统利用旋转涂胶法在晶圆上形成一层光刻胶薄层，再将平行光经过掩膜版照射在光刻胶薄层上使其曝光而变质，最后利用显影液进行显影完成图形转移。其中，若形成的光刻胶薄层厚度出现了偏差，会直接影响到后面相关工艺的进行，如光刻胶厚度超过预计厚度，可能造成曝光、显影不充分，得不到正常的光刻图形；而光刻胶厚度小于预计厚度，除曝光显影不正常导致的图形变形外，还可能会造成光刻胶对晶圆的保护失败，晶圆在经过刻蚀工艺后报废。故而在光刻胶的涂布工艺中，实现对光刻胶厚度的良好控制非常关键。现有涂布机在晶圆上涂布光刻胶时，会出现光刻胶薄层凹凸不平。专利技术人经研究发现，此现象是由于光刻胶喷嘴部位和电机部位的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热处理装置，其特征在于，包括：/n用于涂布光刻胶的喷嘴，所述喷嘴上设有第一温控部，所述第一温控部用于控制喷嘴的温度；/n电机，所述电机上设有第二温控部，所述第二温控部用于控制电机的温度；/n温度控制器，所述温度控制器、所述第一温控部及所述第二温控部经管路串接形成循环回路，所述温度控制器用于控制所述循环回路中循环液的温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种热处理装置，其特征在于，包括：
用于涂布光刻胶的喷嘴，所述喷嘴上设有第一温控部，所述第一温控部用于控制喷嘴的温度；
电机，所述电机上设有第二温控部，所述第二温控部用于控制电机的温度；
温度控制器，所述温度控制器、所述第一温控部及所述第二温控部经管路串接形成循环回路，所述温度控制器用于控制所述循环回路中循环液的温度。


2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：
所述喷嘴包括喷嘴本体、喷嘴头和喷液管，所述喷嘴本体内设有中空的腔体，所述喷嘴头设置在所述喷嘴本体的一端，所述喷液管的一端伸入所述喷嘴本体的空腔内，贯穿所述喷嘴头并与所述喷嘴头密封连接，所述喷液管的另一端用于连接光刻胶存储罐。


3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：
所述第一温控部包括第一温控内管和第一温控外管，所述第一温控内管设于所述第一温控外管的内部，且所述第一温控内管的外径小于所述第一温控外管的内径；
所述喷液管设于所述第一温控内管的内部，且所述喷液管的外径小于所述第一温控内管的内径；
所述第一温控内管与所述第一温控外管均经所述喷嘴本体远离所述喷嘴头的一端伸入所述腔体内，且所述第一温控外管与所述喷嘴本体靠近所述喷嘴头一端的内壁密封连接，所述第一温控内管与所述喷嘴本体靠近所述喷嘴头一端的内壁间隔设置；
所述第一温控内管远离所述喷嘴的一端与所述温度控制器连接，所述第一温控外管远离所述喷嘴的一端与所述第二温控部连接。


4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于：
所述第二温控部包括设置在所述电机的壳体内部的第二温控管，流经所述第二温控管的循环液使所述电机保持预设温度，所述第二温控管的一端与所述第一温控外管连接，所述第二温控管的另一端与所述温度控制器连接。


5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金浩天，
申请(专利权)人：上海众鸿电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31