光刻胶涂布方法技术

本申请公开了一种光刻胶涂布方法，涉及半导体制造领域。该光刻胶涂布方法包括在晶圆承载台上放置晶圆；向所述晶圆表面喷涂光刻胶；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动；解决了目前当晶圆表面存在高台阶结构时，光刻胶旋涂后影响CD均匀性的问题；达到了提高涂布光刻胶的随行性，令晶圆表面的光刻胶膜厚更加均匀，改善图形CD均匀性的效果。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶涂布方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻胶涂布方法。
技术介绍
光刻工艺是半导体制造领域中最关键的工艺之一。光刻工艺将预先设计的图形转移到衬底表面的光刻胶中，光刻工艺的主要步骤包括涂胶、曝光、显影，其中，涂胶工艺的目的是在衬底表面形成均匀的光刻胶膜层。光刻工艺中的CD(Criticaldimension，关键尺寸)受光刻胶厚度的影响较大。对于部分光刻层次，由于前一层结构中存在高台阶，容易造成不同位置的光刻胶厚度差异较大，进而导致CD的均匀性较差。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻胶涂布方法。该技术方案如下：第一方面，本申请实施例提供了一种光刻胶涂布方法，该方法包括：在晶圆承载台上放置晶圆；向晶圆表面喷涂光刻胶；驱动晶圆承载台带动晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动。可选的，驱动晶圆承载台带动晶圆在预定时间内按预定转速转动，包括：驱动晶圆承载台带动晶圆在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶涂布方法，其特征在于，所述方法包括：/n在晶圆承载台上放置晶圆；/n向所述晶圆表面喷涂光刻胶；/n驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；/n驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶涂布方法，其特征在于，所述方法包括：
在晶圆承载台上放置晶圆；
向所述晶圆表面喷涂光刻胶；
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆转动，转速大于2000转/分钟，旋转时间小于2秒；
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在预定时间内按预定转速转动，包括：
驱动所述晶圆承载台带动所述晶圆在...

【专利技术属性】
技术研发人员：栾会倩，吴长明，姚振海，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32