【技术实现步骤摘要】
金属粘接剂划片刀及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,尤其是涉及一种金属粘接剂划片刀及其制备方法。
技术介绍
着半导体技术的发展进步,集成电路广泛应用于消费电子产品、家用电器、LED照明、光伏发电、汽车、工农业自动化、医疗、军工、航空航天等领域。目前,集成电路制造采用的主流技术路线为:拉制单晶(ingot)-截断(cropping)-磨外圆(grinding)-切片(ingotslicing)-双面研磨(lapping)-化学机械抛光(CMP)-光刻(etching)-背面减薄(backgrinding)-划片(dicing)-焊线(wirebonding)-塑封(molding)-切割分离(cutting)-封装完成(package)。塑封体的切割加工主要技术是采用砂轮刀片将封装体切割成封装单元。由于待切割材料是易切割的树脂和难切割的金属铜复合而成,划片刀切割封装体容易出现树脂和金属接合面分层,塑封体翘曲、卷边、毛刺、崩边过大等产品质量问题。传统的划片刀抗冲击性和刚性不足,在高速高温的恶劣状况 ...
【技术保护点】
1.一种金属粘接剂划片刀,其特征在于,按照体积份数包括:3份~30份的金刚石微粉和70份~97份的金属粘接剂;/n所述金属粘接剂按照质量份数包括60份~80份的预合金粉、5份~20份的Co粉以及2份~20份的WS
【技术特征摘要】
1.一种金属粘接剂划片刀,其特征在于,按照体积份数包括:3份~30份的金刚石微粉和70份~97份的金属粘接剂;
所述金属粘接剂按照质量份数包括60份~80份的预合金粉、5份~20份的Co粉以及2份~20份的WS2粉末。
2.根据权利要求1所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述金属粘接剂按照质量份数包括4份~8份的所述WS2粉末。
3.根据权利要求2所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述WS2粉末的粒径为20μm~40μm,所述WS2粉末为分解四硫代钨酸铵制得。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述预合金粉为CuSn预合金粉。
5.根据权利要求4所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述CuSn预合金粉中,Sn的质量百分比为10%~20%;
所述CuSn预合金粉的粒径为5μm~15μm,所述CuSn预合金粉为化学法制得。
6.根据权利要求4所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述Co粉的粒径为1μm~10μm,所述Co粉为草酸钴还原制得。
7.根据权利要求4所述的金属粘接剂划片刀,其特征在于,所述金刚石微粉为表...
【专利技术属性】
技术研发人员:张兴华,
申请(专利权)人:深圳西斯特科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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