【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本公开涉及一种所谓的Fan－Out型(扇出型)的半导体装置。
技术介绍
随着近年来的电子设备的小型化，用于该电子设备的半导体装置的小型化正在推进。受到这样的动向，已知一种所谓的Fan－Out型的半导体装置。该半导体装置具备具有多个电极的半导体元件、与半导体元件相接的绝缘层、配置于绝缘层且与多个电极相连的多个配线、以及与绝缘层相接且覆盖上述半导体元件的一部分的密封树脂。沿厚度方向观察，多个配线包括位于比半导体元件靠外方的部分。由此，具有既实现半导体装置的小型化，又能够灵活对应安装有该半导体装置的配线基板的配线图案的形状的优点。在专利文献1中公开了Fan－Out型的半导体装置的制造方法的一例。该制造方法包括：将具有多个电极的半导体元件埋入密封树脂(专利文献1中的固化体)的工序；形成与半导体元件及密封树脂双方相接的绝缘层(专利文献1为缓冲覆膜)的工序；以及形成与多个电极相连的多个配线的工序。在将半导体元件埋入密封树脂的工序中，使多个电极从密封树脂露出。在形成绝缘层的工序中，通过使用了掩模的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第一绝缘层，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一面及第二面；/n多个第一配线，其具有至少一部分埋入上述第一绝缘层的第一埋入部及配置于上述第二面且与上述第一埋入部相连的第一再配线部；/n半导体元件，其具有设于上述第一面的附近且与上述多个第一配线的上述第一埋入部的至少一部分相连的多个电极，并且与上述第一面相接；以及/n密封树脂，其与上述第一面相接，且覆盖上述半导体元件的一部分，/n沿上述厚度方向观察，上述多个第一配线的上述第一再配线部包括位于比上述半导体元件靠外方的部分，/n上述第一绝缘层具有从上述第二面朝向上述厚度方向凹陷的多个第一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181218 JP 2018-2360791.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一绝缘层，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一面及第二面；
多个第一配线，其具有至少一部分埋入上述第一绝缘层的第一埋入部及配置于上述第二面且与上述第一埋入部相连的第一再配线部；
半导体元件，其具有设于上述第一面的附近且与上述多个第一配线的上述第一埋入部的至少一部分相连的多个电极，并且与上述第一面相接；以及
密封树脂，其与上述第一面相接，且覆盖上述半导体元件的一部分，
沿上述厚度方向观察，上述多个第一配线的上述第一再配线部包括位于比上述半导体元件靠外方的部分，
上述第一绝缘层具有从上述第二面朝向上述厚度方向凹陷的多个第一槽，
上述多个第一配线的上述第一再配线部与上述多个第一槽相接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述第一绝缘层由包含热固化性的合成树脂及添加剂的材料构成，该添加剂含有组成上述多个第一配线的一部分的金属元素。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述多个第一配线的上述第一再配线部的每一个具有与上述多个第一槽中的任一个相接的基底层和覆盖上述基底层的镀敷层，
上述基底层由上述添加剂含有的上述金属元素组成，
上述镀敷层具有朝向上述厚度方向凹陷的凹部。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
上述凹部沿上述多个第一配线的上述第一再配线部的任一个延伸的方向延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
还具备与上述第二面相接的保护层，
上述保护层具有沿上述厚度方向贯通的多个开口部，
上述多个第一配线的上述第一再配线部的一部分从上述多个开口部露出。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
还具备多个端子，
上述多个端子与从上述多个开口部露出的上述多个第一配线的上述第一再配线部的一部分个别地接合，
上述多个端子从上述保护层朝向上述厚度方向突出。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
上述多个端子由包含锡的材料构成。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
还具备：
第二绝缘层，其具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第三面及第四面，且上述第三面与上述第二面相接；以及
多个第二配线，其具有埋入上述第二绝缘层的第二埋入部及配置于上述第四面且与上述第二埋入部相连的第二再配线部，
上述多个第一配线的上述第一再配线部与上述多个第二配线的上述第二埋入部相连，且被上述第二绝缘层覆盖。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
沿上述厚度方向观察，上述多个第二配线的上述第二再配线部包括与上述多个第一配线的上述第一再配线部重叠的部分。
10.根...
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