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一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路制造技术

技术编号:29457638 阅读:26 留言:0更新日期:2021-07-27 17:24
本发明专利技术公开了一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路,包括功率管、偏置电流源、共源极PMOS、共栅极NMOS、输出控制电压源、偏置电压源和自反馈电路,所述功率管的漏极与共源极PMOS的源极连接,所述偏置电流源的正端、共源极PMOS的漏极和共栅极NMOS的源极相连并与自反馈电路连接,所述功率管的栅极和共栅极NMOS的漏极相连并与自反馈电路连接,所述共栅极NMOS的栅极与偏置电压源的正端连接,所述输出控制电压源与共源极PMOS的栅极连接。通过使用本发明专利技术,提升瞬态响应速度及改善过冲电压。本发明专利技术可广泛应用在集成电路技术领域。

【技术实现步骤摘要】
一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路
本专利技术涉及集成电路
,尤其涉及一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路。
技术介绍
低压差线性稳压器(LowDropoutVoltageRegulator,LDO)是一种常用的模拟集成电路,用于将电源电压转换为一个固定的电压给其他电路进行供电。由于大多数SOC芯片为单电源供电,而SOC芯片中的各个不同的电路模块要求不同的供电电压,因此电路系统均离不开电源管理电路。低压差线性稳压器是一种具有结构简单、成本低、低噪声、功耗低和高集成度等优点的电源管理电路,广泛地应用于成本低集成度高的各类消费类电子设备、刷新速率快的数字电路及对噪声敏感的模拟电路等各个模块中。传统的低压差线性稳压器主要由放大器、功率管、反馈电阻以及片外大电容组成,传统结构的缺点是需要外接片外大电容,使电路的面积增大、成本增加且不易于集成,限制了其应用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术的目的是提供一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路,可以实现全集成的、改善负载及线性瞬态响应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路,其特征在于,包括功率管、偏置电流源、共源极PMOS、共栅极NMOS、输出控制电压源、偏置电压源和自反馈电路,所述功率管的漏极与共源极PMOS的源极连接,所述偏置电流源的正端、共源极PMOS的漏极和共栅极NMOS的源极相连并与自反馈电路连接,所述功率管的栅极和共栅极NMOS的漏极相连并与自反馈电路连接,所述共栅极NMOS的栅极与偏置电压源的正端连接,所述输出控制电压源与共源极PMOS的栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路,其特征在于,包括功率管、偏置电流源、共源极PMOS、共栅极NMOS、输出控制电压源、偏置电压源和自反馈电路,所述功率管的漏极与共源极PMOS的源极连接,所述偏置电流源的正端、共源极PMOS的漏极和共栅极NMOS的源极相连并与自反馈电路连接,所述功率管的栅极和共栅极NMOS的漏极相连并与自反馈电路连接,所述共栅极NMOS的栅极与偏置电压源的正端连接,所述输出控制电压源与共源极PMOS的栅极连接。


2.根据权利要求1所述一种自反馈型多环路全集成低压差线性稳压器电路,其特征在于,所述自反馈电路包括采样MOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,所述功率管的源极、第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极相连并与电压输入端连接,所述偏置电流源的正端、共源极PMOS的漏极、共栅极NMOS的源极和采样MOS管的栅极相连,所述功率管的栅极、共栅极NMOS的漏极和第二PMOS管的漏极相连,所述偏置电流源的负端、偏置...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭建平刘楠郑浩鑫
申请(专利权)人:中山大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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