一种防止LDO电路反向漏电的电路制造技术

一种防止LDO电路反向漏电的电路，LDO电路包括运算放大器OP，运算放大器OP的正输入端输入参考电压，运算放大器OP的输出端与MOS管的栅极连接，MOS管的源极作为LDO电路的输入端，LDO电路的输出端依次经过滑动变阻器R1和电阻R2与地连接，滑动变阻器R1和电阻R2的连接点与运算放大器OP的负输入端连接，将LDO电路中的MOS管设置为PMOS管Q1，设置一个部件切断输出端与PMOS管Q1内体二极管之间的通路，PMOS管Q1的漏极经过所述部件与输出端连接。本发明专利技术的优点在于：有效地解决LDO电路反向漏电导致的器件温度升高、出现电迁移或闩锁效应，进而导致器件的损坏以及LDO电路可靠性的问题。

A circuit for preventing reverse leakage of LDO circuit

【技术实现步骤摘要】
一种防止LDO电路反向漏电的电路
本专利技术涉及到集成电路设计
，特别涉及到一种防止LDO电路反向漏电的电路。
技术介绍
低压降稳压器LDO是一种在维持小的输出电压差的情况下，把一个较高电压输入，转换为一个略低的稳定输出电压的一种方法，在LDO中，电流会沿特定方向流动，即从输入流向输出。如图1所示PMOS管Q1是N型衬底、P型沟道，靠空穴的流动运送电流的场效应管，其寄生的体二极管在输出端为P端，以PMOS管Q1构建的LDO电路中，会存在通过PMOS管Q1的体二极管，从输出流向输入地反向漏电的风险，这种反向漏电的存在，会引发长期可靠性的问题，甚至会损坏器件。目前已有的方法是将PMOS管Q1直接修改为NMOS管Q2，将MOS管直接替换成NMOS管Q2的方法，虽然可以解决反向漏电的问题，但由于其地端电压为低，而输出端(NMOS管Q2的源端)电压通常较高，这样由于MOS管的体效应，会导致NMOS管Q2的阈值电压VTH会变大很多，由于正常工作时，MOS管漏源之间的电流与其阈值电压之间的关系如下：uCox为与工艺相关的变量，W本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防止LDO电路反向漏电的电路，LDO电路包括运算放大器OP，运算放大器OP的正输入端输入参考电压，运算放大器OP的输出端与MOS管的栅极连接，MOS管的源极作为LDO电路的输入端，LDO电路的输出端依次经过滑动变阻器R1和电阻R2与地连接，滑动变阻器R1和电阻R2的连接点与运算放大器OP的负输入端连接，其特征在于，将LDO电路中的MOS管设置为PMOS管Q1，设置一个部件切断输出端与PMOS管Q1内体二极管之间的通路，PMOS管Q1的漏极经过所述部件与LDO电路的输出端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种防止LDO电路反向漏电的电路，LDO电路包括运算放大器OP，运算放大器OP的正输入端输入参考电压，运算放大器OP的输出端与MOS管的栅极连接，MOS管的源极作为LDO电路的输入端，LDO电路的输出端依次经过滑动变阻器R1和电阻R2与地连接，滑动变阻器R1和电阻R2的连接点与运算放大器OP的负输入端连接，其特征在于，将LDO电路中的MOS管设置为PMOS管Q1，设置一个部件切断输出端与PMOS管Q1内体二极管之间的通路，PMOS管Q1的漏极经过所述部...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊钦，李瑞兴，戴国梁，
申请(专利权)人：合肥松豪电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34