【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含具有氢气势垒材料的垂直晶体管的装置及相关方法优先权主张本申请案主张2018年10月9日针对“包含具有氢气势垒材料的垂直晶体管的半导体装置及相关方法(SemiconductorDevicesIncludingVerticalTransistorsHavingHydrogenBarrierMaterials,andRelatedMethods)”申请的第62/743,133号美国临时专利申请案的申请日期的权利。
本专利技术的实施例涉及半导体装置设计及制造的领域。更具体来说，本文中所揭示的实施例涉及包含具有经配置以抑制氢物种通过其渗透的材料的垂直晶体管的半导体装置结构，且涉及相关半导体装置、电子系统及方法。
技术介绍
存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器，包含但不限于随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变存储器。电阻可变存储器的非限制性实例包含电阻性随机存取存储器(ReR...
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：/n垂直晶体管，其包括：/n半导电结构，其包括：/n源极区域及漏极区域，所述源极区域及所述漏极区域各自个别地包括经配置以抑制氢气通过其渗透的至少一种导电材料；及/n沟道区域，其垂直介于所述源极区域与所述漏极区域之间；/n至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电结构的所述沟道区域；及/n电介质材料，其横向介于所述半导电结构与所述至少一个栅极电极之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181009 US 62/743,1331.一种装置，其包括：
垂直晶体管，其包括：
半导电结构，其包括：
源极区域及漏极区域，所述源极区域及所述漏极区域各自个别地包括经配置以抑制氢气通过其渗透的至少一种导电材料；及
沟道区域，其垂直介于所述源极区域与所述漏极区域之间；
至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电结构的所述沟道区域；及
电介质材料，其横向介于所述半导电结构与所述至少一个栅极电极之间。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者是非均质的。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括元素Ir、IrOx及TiAlN中的一或多者。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括元素Ir及IrOx。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域中的一或多者的所述至少一种导电材料包括TiAlN。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域各自个别地具有在从约到约的范围内的厚度。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述源极区域及所述漏极区域具有彼此不同的材料组合物。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述沟道区域包括氧化锌锡、氧化铟锌、氧化锌、铟镓锌氧化物、铟镓硅氧化物、氧化铟、氧化锡、氧化钛、氮氧化锌、氧化镁锌、锆铟锌氧化物、铪铟锌氧化物、锡铟锌氧化物、铝锡铟锌氧化物、硅铟锌氧化物、氧化锌锡、铝锌锡氧化物、镓锌锡氧化物、锆锌锡氧化物及铟镓硅氧化物中的一或多者。
9.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括电绝缘材料，所述电绝缘材料经配置以抑制氢气通过其渗透、上覆于所述垂直晶体管的至少一部分。
10.根据权利要求9所述的装置，其中所述电绝缘材料包括Al2O3。
11.根据权利要求9所述的装置，其进一步包括上覆于所述电绝缘材料且与所述半导电支柱电连通的数字线。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述半导电结构包括包含所述源极区域、所述漏极区域及所述沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：K·M·考尔道，R·甘地，李宜芳，S·E·西里斯，刘海涛，D·V·N·拉马斯瓦米，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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